半导体清洗和蚀刻气体，全球前十强生产商排名及市场份额.docxVIP

全球市场研究报告

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半导体清洗和蚀刻气体全球市场总体规模

根据QYResearch最新调研报告显示，预计2031年全球半导体清洗和蚀刻气体市场规模将达到30.06亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为7.37%。

半导体清洗气体是用于去除晶圆表面残留颗粒、有机物、金属污染物、氧化物和化学反应副产物的专用工艺气体，广泛应用于光刻前清洗、刻蚀后清洗、沉积前表面活化、原子层沉积（ALD）前处理、干法去胶（Ashing）等前道关键环节。典型清洗气体包括O?、O?、NF?、CF?、C?F?、H?、H?OPlasma、ClF?、F?等，通过等离子体或高温反应形成功能性自由基，实现对表面污染层的去除与对下层材料结构的选择性保护。清洗气体的稳定性、纯度（可达99.9999%）及反应可控性直接影响良率与缺陷密度，是先进节点（7nm、5nm、3nm）良率提升的核心材料之一。半导体蚀刻气体是用于在晶圆前道加工中，通过化学（化学蚀刻）、物理离子轰击（反应离子RIE）、深硅刻蚀（DRIE）等机制，选择性移除掩膜下方材料，形成纳米级图形、沟槽、通孔和立体结构的关键工艺材料。

市场驱动因素：

1.先进制程（EUV、FinFET、GAA）对表面洁净度要求急剧提升

随着制程从10nm→7nm→5nm→3nm推进，晶圆表面缺陷的容忍度接近零，任何残留的有机物、金属离子、氧化物膜层都会导致线宽偏移、图形塌陷或短路开路缺陷。EUV光刻层数增加，光刻胶更薄，对刻蚀后清洗与抗损伤能力要求更高，推动ClF?、O?、NF?等高效、低损伤清洗气体需求快速增长。3D结构（FinFET、GAA、3DNAND）中高深宽比结构更易陷入残留污染，进一步提升清洗气体使用量和工艺复杂度。

2.3DNAND层数不断增加带动清洗与去除量大幅上升

3DNAND已从96层提升至176、232层，未来冲向300+层，刻蚀次数与后清洗任务呈几何级增长。深沟槽刻蚀产生的大量polymer残留需要依靠O?/NF?plasma和ClF?的高反应性清洗。随着堆栈层数变高，刻蚀后清洗成为3DNAND制造周期中最大用气环节之一，对NF?、F?、H?/O?混合气等需求更加旺盛。

3.制造良率提升和缺陷控制成为晶圆厂竞争核心

晶圆厂（如TSMC、三星、SK海力士、长江存储）在先进工艺中逐渐将“清洗”视为最重要的良率锁定步骤之一。随着芯片成本大幅上升，任何清洗不足导致的缺陷都会放大损失，促使晶圆厂增加清洗次数、提高清洗强度，并采用更高纯度、更高反应速率的新型清洗气体。先进节点的缺陷密度管理推动高端清洗气体整体用量与单片价值持续提升。

图.半导体清洗和蚀刻气体，全球市场总体规模

如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球半导体清洗和蚀刻气体市场研究报告2025-2031”.

图.全球半导体清洗和蚀刻气体市场前十强生产商排名及市场占有率（基于2024年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数据为准）

如上图表/数据，摘自QYResearch报告“全球半导体清洗和蚀刻气体市场研究报告2025-2031”，排名基于2024数据。目前最新数据，以本公司最新调研数据为准。

根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内半导体清洗和蚀刻气体生产商主要包括SKMaterials,KantoDenkaKogyo和Resonac等。2024年，全球前三大厂商占有大约31.8%的市场份额。