2026年口腔正畸学考试题库100道【典型题】.docxVIP

2026年口腔正畸学考试题库100道

第一部分单选题(100题)

1、关于正畸治疗中临时支抗装置（TADs，如微种植钉）的描述，以下哪项不正确？

A.可以提供绝对支抗

B.植入部位主要在牙槽嵴和腭部

C.其稳定性与骨密度无关

D.可用于辅助牙齿的压低、整体移动等

【答案】：C

2、关于上颌快速扩弓（RPE），下列说法正确的是？

A.仅能打开腭中缝，对牙槽骨无影响

B.主要适用于成年患者

C.扩弓速度通常为每天0.5-1.0mm

D.扩弓完成后需要保持3-6个月以稳定效果

【答案】：C

3、正畸治疗中，牙周病患者需要特别注意的事项不包括？

A.治疗前控制牙周炎症

B.使用更重的矫治力

C.治疗中维护口腔卫生

D.简化矫治目标

【答案】：B

4、下列哪种情况通常不考虑正畸-正颌联合治疗？

A.严重的骨性III类错颌

B.严重的骨性II类错颌

C.严重的开颌畸形

D.单纯的牙列拥挤

【答案】：D

5、下列哪项不是早期矫治的适应症？

A.前牙反颌

B.后牙锁颌

C.个别牙轻度扭转

D.口腔不良习惯

【答案】：C

6、下列哪种矫治技术属于自锁托槽系统？

A.Begg矫治技术

B.Damon矫治系统

C.Tip-Edge矫治技术

D.标准方丝弓矫治技术

【答案】：B

7、在制定正畸治疗计划时，头影测量分析的主要作用是？

A.评估牙齿的拥挤度

B.评估颌骨间及颅面结构的矢状、垂直向关系

C.评估牙周健康状况

D.评估颞下颌关节功能

【答案】：B

8、骨性III类错颌畸形，其ANB角通常如何？

A.大于正常

B.等于正常

C.小于正常

D.与ANB角无关

【答案】：C

9、在正畸治疗中，下列哪种情况最需要使用微种植体支抗？

A.需要最大支抗的内收前牙

B.需要推磨牙向远中

C.需要绝对垂直向控制

D.以上都是

【答案】：D

10、关于开颌的描述，错误的是？

A.前牙开颌可能与吐舌习惯有关

B.骨性开颌多伴有下颌平面角增大

C.后牙开颌较前牙开颌更为常见

D.治疗需根据病因进行

【答案】：C

11、在拔除四个第一前磨牙的病例中，关闭间隙时，为防止前牙过度内收，需要加强哪种支抗？

A.上颌前牙支抗

B.上颌后牙支抗

C.下颌前牙支抗

D.下颌后牙支抗

【答案】：B

12、在直丝弓矫治技术中，预置在托槽上的三个序列弯曲不包括？

A.轴倾角

B.转矩角

C.内收/外展弯

D.第一序列弯曲（水平向）

【答案】：C

13、对于骨性III类错颌畸形，其最佳矫治时机通常为？

A.乳牙期

B.替牙期

C.恒牙早期

D.生长发育高峰期前进行生长改良，成年后根据情况决定是否手术

【答案】：D

14、牙齿移动的生物学基础是？

A.牙槽骨的增生与吸收

B.牙周膜的改建

C.牙骨质的增生

D.A和B

【答案】：D

15、在正畸治疗中，牙齿的压低移动主要发生在？

A.牙根尖区

B.牙颈部

C.整个牙根表面

D.牙冠部

【答案】：A

16、下列哪种情况通常需要正畸-正颌联合治疗？

A.轻度骨性II类错颌

B.严重骨性III类错颌

C.牙性前牙反颌

D.单纯牙列拥挤

【答案】：B

17、深覆合是指上前牙覆盖下前牙唇面超过多少？

A.1/2

B.1/3

C.2/3

D.3/4

【答案】：B

18、下列哪种情况是使用种植体支抗的绝对禁忌症？

A.青少年患者

B.需要最大支抗控制

C.牙周炎活动期

D.轻度拥挤

【答案】：C

19、骨性II类错颌的典型X线头影测量特征是？

A.ANB角增大

B.SNA角减小

C.SNB角增大

D.ANB角减小

【答案】：A

20、关于正畸治疗后的保持，下列说法正确的是？

A.所有患者都需要终身佩戴保持器

B.保持时间与错颌类型、矫治方法无关

C.保持的目的是防止复发，稳定矫治效果

D.拆除矫治器后牙齿位置不会再发生变化

【答案】：C

21、下列哪项不是早期矫治的主要目标？

A.消除病因

B.引导颌面正常发育

C.建立完美的恒牙列咬合

D.为恒牙萌出创造空间

【答案】：C

22、在正畸诊断中，下列哪项头影测量指标最能反映下颌的矢状向位置？

A.SNA角

B.SNB角

C.ANB角

D.FMA角

【答案】：B

23、下列哪项是正畸治疗中发生牙槽骨开窗或骨开裂的高危因素？

A.牙根形态异常（如过短、过细）

B.牙槽骨本身存在骨缺损或菲薄

C.牙齿移动范围过大（如过度唇倾）

D.以上都是

【答案】：D

24、下列哪项是功能性矫治器的主要作用机制？

A.直接施加机械力移动牙齿

B.消除异常的肌功能，引导颌骨生长

C.通过磁