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探索石墨烯射频场效应晶体管：技术、研制与特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体器件作为现代电子系统的核心组成部分，其性能的提升对于推动电子领域的进步至关重要。随着电子设备向高速、高频、低功耗和小型化方向发展，传统的硅基半导体器件逐渐接近其物理极限，面临着诸多挑战，如电子迁移率受限、功耗增加、散热困难等。因此，寻找新型半导体材料和器件结构成为了学术界和产业界的研究热点。

石墨烯作为一种由单层碳原子以六角蜂窝状排列组成的二维材料，自2004年被发现以来，因其独特的物理性质而备受关注。石墨烯具有极高的载流子迁移率，在室温下可达15000cm2/V?s