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宽带隙半导体SiC与ZnO：光电特性、掺杂机制及应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域中，宽带隙半导体凭借其独特的物理性质，正逐渐成为推动技术革新的关键力量。随着科技的飞速发展，对半导体材料性能的要求日益严苛，传统的硅基半导体在面对高温、高频、高功率以及恶劣环境等应用场景时，逐渐暴露出其局限性，难以满足新兴技术的需求。而宽带隙半导体，如碳化硅（SiC）和氧化锌（ZnO），因其具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和漂移速度快等一系列优异特性，为解决这些问题提供了新的可能，在众多前沿领域展现出了巨大的应用潜力。

SiC作为典型的宽带隙半导体，在高温、高频、大