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CMOS数字集成电路原理与分析第四章集成电路互连线
第三章内容概述CMOS典型工艺n阱工艺p阱工艺双阱工艺自对准工艺光刻套准误差对MOS器件性能的影响掺杂浓度偏差对MOS器件性能的影响成膜厚度偏差对MOS器件性能的影响实际器件与设计目标存在偏差，器件性能不均衡沟道掺杂过程中，剂量偏差（±3%-5%）直接改变载流子浓度分布，导致阈值电压波动。在栅氧化层制备中，厚度偏差会直接改变栅极电容值，导致阈值电压波动。在金属互连层中，厚度不均会导致电阻（R）与寄生电容（C）不均。CMOS集成电路中的器件隔离场氧隔离STI隔离（0.25mm以下）工艺偏差寄生场效应晶体管寄生双极型晶体管CMOS集成电路
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