《电工电子技术简明教程》_12.pptxVIP

知识要点

一、本征半导体

纯净的半导体被称为本征半导体。本征半导体需要用复杂的工艺和技术

才能制造出来，半导体器件的制造首先要有本征半导体，这也是半导体材料没有导体和绝缘体材料应用早的原因。目前用于制造半导体器件的材料主要有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)和磷化铟(InP)等，其中以硅和锗最为常用。硅和锗都是四价元素。

1.本征半导体中的两种载流子—电子和空穴

在室温下，本征半导体中的少数价电子因受热而获得能量，摆脱原子核

的束缚，从共价键中挣脱出来，成为自由电子。与此同时，失去价电子的硅或锗原子在该共价键上留下了一个空位，这个空位称为空穴。电子与空穴是成对出现的，所以称为电子-空穴对。

在室温下，本征半导体内产生的电子-空穴对数目很少。当本征半导体处

在外界电场中，其内部自由电子逆外电场方向作定向??动，形成漂移电子流；空穴顺外电场方向作定向运动，形成漂移空穴流。自由电子带负电荷，空穴带正电荷，它们都对形成电流做出贡献，因此称自由电子为电子载流子，称空穴为空穴载流子。本征半导体在外电场的作用下，其电流为电子流与空穴流之和。;

2.本征半导体的热敏特性和光敏特性

实验发现，本征半导体受热或光照后其导电能力大大增强。

当温度升高或光照增强时，本征半导体内的原子运动加剧，有较多的电

子获得能量成为自由电子，即电子-空穴对增多，所以本征半导体中电子-空穴对的数目与温度或光照有密切关系。温度越高或光照越强，本征半导体内的载流子数目越多，导电性能越强，这就是本征半导体的热敏特性和光敏特性。利用这种特性就可以做成各种热敏元件和光敏元件，在自动控制系统中有广泛的应用。

3.本征半导体的掺杂特性

实验发现，在本征半导体中掺入微量的其他元素，会使其导电能力大大

加强。例如，在硅本征半导体中掺入百万分之一的其它元素，它的导电能力就会增加一百万倍。这就是半导体的掺杂特性。掺入的微量元素称为杂质，掺入杂质后的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体有P型半导体和N型半导体两大类。

(1)P型半导体

如果在本征半导体中掺入三价元素，如硼(B)、铟(In)等，在半导

体内就产生了大量空穴，这种半导体叫做P型半导体。;

在P型半导体中，空穴是多数载流子，简称“多子”,电子是少数载流子，简称“少子”。但整个P型半导体是呈现电中性的。P型半导体在外界电场作用下，空穴电流远大于少子电流。P型半导体是以空穴导电为主的半导体，所以它又称为空穴型半导体。

(2)N型半导体

如果在本征半导体中掺入微量五价元素，如磷(P),砷(As)等，在半导体内会产生许多自由电子，这种半导体叫做N型半导体。

在N型半导体中，电子载流子数远大于空穴数，所以电子是N型半导体中的多子，空穴是N型半导体中的少子。但整个N型半导体是呈现电中性的。N型半导体在外界电场作用下，电子电流远大于空穴电流。N型半导体是以电子导电为主的半导体，所以它又称为电子型半导体。半导体中多子的浓度取决于掺入杂质的多少，少子的浓度与温度有密切的关系。

二、PN结

单纯的一块P型半导体或N型半导体，只能作为一个电阻元件来使用。

但是如果把P型半导体和N型半导体通过一定的制作工艺结合起来就形成了PN结。PN结是构成半导体二极管、半导体三极管、晶闸管、集成电路等众多半导体器件的基础。;

1.PN结的形成

在一块完整的本征硅(或锗)片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在这两种杂质半导体的交界面附近就会形成一个具有特殊性质的薄层，这个特殊的薄层就是PN结。如图12.1所示。

2.PN结的单向导电特性

如图12.2所示，是演示PN结单向导电特性

的实验电路图。;

在PN结上加正向偏置

在PN结两端加上电压，称为给PN结偏置。如果将P区接电源的正极，N区接电源的负极，称为加正向偏置，简称正偏，如图12.2(a)所示。

实验表明：此时在电路中形成较大的电流，电流由P区流向N区，PN结呈现导通状态，电灯泡发出亮光。这种现象称为PN结的正向导通。

PN结加反向偏置

如果将P区接电源的负极，N区接电源的正极，则称为加反向偏置，简称反偏，如图12.2(b)所示所示。实验表明：此时在电路中只有很小很小的电流，PN结呈现截止状态，电灯泡不发出亮光，这种现象称为PN结的反偏截止。

结论：PN结加正向电压时导通，PN结加反向电压时截止，所以PN结具有单向导电性。

三、二极管及其应用

在PN结的两端引出金属电极，外加玻璃、金属或用塑料封装，就做成了