Infineon英飞凌XHP 2模块FF2000UXTR23T2M1P数据手册.pdf

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FF2000UXTR23T2M1P

XHP™2模块

Finaldatasheet

XHP™2模块采用CoolSiC™TrenchMOSFET带有温度检测NTC和预涂导热介质

特性

•电气特性

-VDSS=2300V

-IDN=1000A/IDRM=2000A

-高电流密度

-低电感设计

-低开关损耗

-T=175°C

vjop

•机械特性

-低热阻衬底

-铜基板

-高爬电距离和电气间

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