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Infineon 英飞凌 模块 FF1000UXTR23T2M1_B5 数据手册.pdf

Infineon 英飞凌 模块 FF1000UXTR23T2M1_B5 数据手册.pdf

    FF1000UXTR23T2M1_B5

    XHP™2模块

    Finaldatasheet

    XHP™2模块采用CoolSiC™TrenchMOSFET

    特性

    •电气特性

    -VDSS=2300V

    -IDN=2000A/IDRM=4000A

    -高电流密度

    -低电感设计

    -低开关损耗

    -T=175°C

    vjop

    •机械特性

    -低热阻的氮化铝(AlN)衬底

    -碳化硅铝(AlSiC)基板提供更高的温度循

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