2025年事业单位工勤技能-浙江-浙江无损探伤工一级(高级技师)历年参考题典型考点含答案解析.docxVIP

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2025年事业单位工勤技能-浙江-浙江无损探伤工一级(高级技师)历年参考题典型考点含答案解析

一、单项选择题

下列各题只有一个正确答案,请选出最恰当的选项(共30题)

1、在射线探伤中,影响底片清晰度的主要几何因素是?

A.射线能量

B.增感屏种类

C.焦点尺寸

D.曝光时间

2、超声波探伤中,用于检测垂直于表面的裂纹最常用的波型是?

A.纵波

B.横波

C.表面波

D.板波

3、磁粉探伤适用于检测下列哪种材料的表面和近表面缺陷?

A.奥氏体不锈钢

B.铜合金

C.铝合金

D.碳钢

4、渗透探伤中,去除多余渗透剂的常用方法是?

A.溶剂去除法

B.加热烘干法

C.砂纸打磨法

D.压缩空气吹除

5、射线照相中,提高底片对比度的有效措施是?

A.提高管电压

B.使用铅增感屏

C.延长显影时间

D.降低射线能量

6、超声波探伤中,“始波”指的是?

A.缺陷反射波

B.底面反射波

C.探头激励脉冲产生的初始信号

D.多次反射波

7、下列哪种情况不适合使用涡流探伤?

A.检测导电材料表面裂纹

B.测量金属涂层厚度

C.检测厚壁管道内部腐蚀

D.分选热处理状态不同的钢材

8、在射线探伤中,像质计(IQI)主要用于评估?

A.射线源强度

B.底片清晰度和灵敏度

C.曝光时间

D.材料吸收系数

9、超声波探伤时,耦合剂的主要作用是?

A.保护探头免受磨损

B.减少探头与工件间的空气间隙

C.冷却探头

D.标记检测区域

10、磁粉探伤中,周向磁化主要用于检测哪种方向的缺陷?

A.纵向缺陷

B.横向缺陷

C.斜向缺陷

D.表面折叠

11、在射线探伤中,影响几何不清晰度的主要因素是?

A.射线能量

B.胶片类型

C.焦点尺寸与焦距

D.增感屏厚度

12、超声波探伤中,用于检测垂直于探测面的缺陷最常用的波型是?

A.表面波

B.纵波

C.横波

D.板波

13、磁粉探伤适用于检测下列哪种材料的表面及近表面缺陷?

A.奥氏体不锈钢

B.铝合金

C.铜合金

D.低碳钢

14、渗透探伤中,后乳化型渗透剂与水洗型渗透剂的主要区别在于?

A.颜色不同

B.施加方式不同

C.去除方式不同

D.检测灵敏度不同

15、下列哪种情况会导致射线底片黑度过高?

A.曝光时间过短

B.管电压过低

C.显影时间过长

D.定影时间过长

16、在超声波检测中,调节仪器使多个等距底面回波位于水平刻度线上,这一操作称为?

A.灵敏度校准

B.深度校准

C.距离-波幅校正

D.抑制调节

17、以下哪种缺陷在射线底片上通常呈现为不规则的黑色斑点?

A.裂纹

B.气孔

C.未熔合

D.夹渣

18、在磁粉探伤中,采用连续法比剩磁法更适用于?

A.高剩磁材料

B.复杂形状工件

C.检测内部缺陷

D.自动化检测

19、超声波探头中压电晶片的主要作用是?

A.放大回波信号

B.控制扫描速度

C.实现电-声能量转换

D.过滤杂波

20、渗透探伤前,对工件表面进行清理的主要目的是?

A.提高表面光洁度

B.防止污染显像剂

C.去除阻碍渗透的污染物

D.减少检测时间

21、在射线探伤中,影响底片清晰度的主要因素是:

A.管电压

B.管电流

C.焦点尺寸

D.曝光时间

22、超声波探伤中,用于调节检测灵敏度的标准试块是:

A.CSK-IA试块

B.RB-2试块

C.GHT-5试块

D.IIW试块

23、磁粉探伤适用于检测下列哪种材料的表面缺陷?

A.奥氏体不锈钢

B.铝合金

C.碳钢

D.铜合金

24、渗透探伤中,后乳化型渗透剂与水洗型渗透剂的主要区别在于:

A.颜色不同

B.是否需单独施加乳化剂

C.检测灵敏度

D.渗透时间

25、超声波探伤中,斜探头的K值指的是:

A.折射角的正切值

B.入射角的正切值

C.折射角的正弦值

D.声束扩散角

26、射线照相中,提高对比度的最有效措施是:

A.增加管电流

B.降低管电压

C.增大焦距

D.使用快速增感屏

27、下列哪种缺陷在射线底片上通常呈现为不规则的黑色斑点?

A.裂纹

B.气孔

C.夹渣

D.未焊透

28、超声波探伤时,“始波”指的是:

A.从缺陷反射回来的信号

B.探头发出的初始脉冲信号

C.底面反射波

D.多次反射波

29、磁粉探伤中,采用连续法magnetization时,磁化电流应在何时切断?

A.喷洒磁悬液前

B.喷洒磁悬液同时

C.喷洒磁悬液后立即

D.观察磁痕形成后

30、渗透探伤中,显像剂的作用是:

A.去除表面多余渗透剂

B.促进渗透剂进入缺陷

C.吸出缺陷中

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