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Infineon英飞凌高绝缘等级模块FD500R65KE3-K说明书.pdf

Infineon英飞凌高绝缘等级模块FD500R65KE3-K说明书.pdf

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    FD500R65KE3-K

    高绝缘等级模块

    高绝缘等级模块采用第三代沟槽栅/场终止IGBT3和第三代发射极控制二极管

    特性

    •电气特性

    -VCES=6500V

    -ICnom=500A/ICRM=1000A

    -低VCEsat

    •机械特性

    -碳化硅铝(AlSiC)基板提供更高的温度循环能力

    -扩大存储温度范围至Tstg=-55°C

    -高爬电距离和电气间隙

    -封装的CTI600

    -加强绝缘封装，10.4kV交流60秒

    可选应用

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