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2025年（微电子科学与工程）半导体制造试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体制造中常用的光刻技术是利用（）原理。

A.光学成像B.电子束扫描C.离子束刻蚀D.化学腐蚀

答案：A

2.以下哪种材料不是半导体制造中常用的衬底材料？（）

A.硅B.锗C.铜D.砷化镓

答案：C

3.半导体制造中的掺杂工艺是为了改变半导体的（）。

A.颜色B.硬度C.导电性D.透明度

答案：C

4.光刻工艺中，光刻胶起到的作用是（）。

A.增强光刻效果B.保护不需要光刻的区域C.提供刻蚀图案D.改善衬底性能

答案：B

5.半导体制造中，干法刻蚀相比湿法刻蚀的优点不包括（）。

A.更高的刻蚀精度B.对衬底损伤小C.刻蚀速度快D.可实现选择性刻蚀

答案：C

6.以下哪种设备用于半导体制造中的薄膜沉积？（）

A.光刻机B.刻蚀机C.化学气相沉积设备D.离子注入机

答案：C

7.半导体制造中，CMOS工艺的全称是（）。

A.互补金属氧化物半导体工艺B.金属氧化物半导体工艺C.互补金属半导体工艺D.金属半导体工艺

答案：A

8.光刻工艺中，分辨率主要取决于（）。

A.光刻胶的厚度B.光源波长C.曝光时间D.显影液浓度

答案：B

9.半导体制造中，外延生长工艺是在（）上生长一层新的半导体材料。

A.衬底B.光刻胶C.刻蚀后的图形D.薄膜

答案：A

10.以下哪种技术用于检测半导体制造中的缺陷？（）

A.光刻技术B.薄膜沉积技术C.电子束检测技术D.掺杂技术

答案：C

二、多项选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体制造中的基本工艺包括（）。

A.光刻B.刻蚀C.掺杂D.薄膜沉积

答案：ABCD

2.光刻技术中的曝光方式有（）。

A.接触式曝光B.接近式曝光C.投影式曝光D.电子束曝光

答案：ABC

3.半导体制造中常用的刻蚀气体有（）。

A.氯气B.氟气C.溴气D.氧气

答案：ABC

4.以下哪些是半导体制造中薄膜沉积的方法？（）

A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.分子束外延D.电镀

答案：ABC

5.半导体制造中，CMOS工艺的主要组成部分包括（）。

A.晶体管制造B.互连布线C.隔离技术D.光刻工艺

答案：ABC

6.光刻胶的分类有（）。

A.正性光刻胶B.负性光刻胶C.化学增幅光刻胶D.电子束光刻胶

答案：ABCD

7.半导体制造中，干法刻蚀的主要类型有（）。

A.等离子体刻蚀B.反应离子刻蚀C.离子束刻蚀D.激光刻蚀

答案：ABC

8.用于半导体制造的衬底材料需要具备的特性有（）。

A.良好的晶体结构B.高纯度C.合适的电学性能D.高强度

答案：ABC

9.半导体制造中，外延生长的方法有（）。

A.化学气相外延B.物理气相外延C.分子束外延D.液相外延

答案：ABCD

10.半导体制造中的检测技术包括（）。

A.光学检测B.电子束检测C.X射线检测D.超声波检测

答案：ABC

三、判断题（总共4题，每题5分）

1.半导体制造中，光刻技术是决定芯片集成度和性能的关键工艺。（）

答案：√

2.湿法刻蚀比干法刻蚀更适合用于高精度的刻蚀要求。（）

答案：×

3.半导体制造中，掺杂浓度越高，半导体的导电性越好。（）

答案：×

4.薄膜沉积工艺中，沉积温度对薄膜的质量没有影响。（）

答案：×

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、填空题（总共10题，每题2分）

1.半导体制造中，光刻的分辨率与光源波长成（）比。

答案：反

2.常见的半导体掺杂元素中，P型掺杂元素是（）。

答案：硼

3.半导体制造中，化学气相沉积的化学反应类型主要有（）、（）和（）。

答案：热分解反应、化学合成反应、化学输运反应

4.光刻工艺中，曝光剂量过大可能导致光刻胶（）。

答案：过曝光

5.半导体制造中，干法刻蚀的主要原理是利用（）与待刻蚀材料发生化学反应。

答案：等离子体

6.用于半导体制造的光刻设备主要由（）、（）和（）等部分组成