2025年（微电子科学与工程-半导体器件实战）半导体器件应用实战试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与工程-半导体器件实战）半导体器件应用实战试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单选题（每题2分，共20分）

1.以下哪种半导体器件常用于放大电路？（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

答案：B

2.半导体中参与导电的载流子是（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

答案：C

3.二极管的正向导通电压一般为（）

A.0.1V-0.3VB.0.6V-0.8VC.0.7V-1VD.1V-2V

答案：C

4.三极管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况是（）

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏D.发射结和集电结都反偏

答案：A

5.场效应管的控制方式是（）

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压

答案：C

6.半导体器件的性能参数中，反映放大能力的是（）

A.放大倍数B.耐压值C.饱和电流D.反向电流

答案：A

7.以下哪种半导体器件具有单向导电性？（）

A.三极管B.场效应管C.二极管D.晶闸管

答案：C

8.晶闸管导通的条件是（）

A.阳极加正向电压，门极加正向触发信号B.阳极加反向电压，门极加正向触发信号

C.阳极加正向电压，门极加反向触发信号D.阳极加反向电压，门极加反向触发信号

答案：A

9.半导体器件工作时产生热量的主要原因是（）

A.电流通过产生的焦耳热B.光照产生的热量

C.化学反应产生的热量D.环境温度过高

答案：A

10.对于MOS场效应管，其栅极与源极之间的绝缘层是（）

A.二氧化硅B.氮化硅C.氧化铝D.氧化镁

答案：A

二、多选题（每题2分，共20分）

1.以下属于半导体器件的是（）

A.电阻B.电容C.二极管D.三极管E.集成电路

答案：CDE

2.三极管的三个电极分别是（）

A.发射极B.基极C.集电极D.源极E.漏极

答案：ABC

3.场效应管的类型有（）

A.MOS管B.JFET（结型场效应管）C.IGFET（绝缘栅场效应管）D.BJT（双极型晶体管）E.SCR（晶闸管）

答案：ABC

4.半导体器件的特性参数包括（）

A.击穿电压B.反向电流C.饱和电流D.放大倍数E.频率特性

答案：ABCDE

5.在半导体器件应用中，常用的偏置电路有（）

A.固定偏置电路B.分压式偏置电路C.自偏置电路D.恒流源偏置电路E.无偏置电路

答案：ABCD

6.二极管的主要应用有（）

A.整流B.限幅C.开关D.稳压E.放大

答案：ABCD

7.三极管的放大作用体现在（）

A.电流放大B.电压放大C.功率放大D.信号放大处理E.能量放大

答案：ABCD

8.晶闸管的应用领域包括（）

A.可控整流B.逆变C.交流调压D.无触点开关E.放大电路

答案：ABCD

9.半导体器件散热的方法有（）

A.散热片散热B.风冷C.水冷D.自然散热E.热管散热

答案：ABCDE

10.影响半导体器件性能的因素有（）

A.温度B.光照C.湿度D.电压E.频率

答案：ABCDE

三、判断题（每题2分，共20分）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

答案：√

2.二极管的反向电流越大，说明其单向导电性越好。（）

答案：×

3.三极管只要工作在放大区，就能实现信号放大。（）

答案：×

4.场效应管比三极管的输入电阻高。（）

答案：√

5.半导体器件的参数是固定不变的，不受外界因素影响。（）

答案：×

6.晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。（）

答案：√

7.集成电路是将多个半导体器件集成在一块芯片上。（）

答案：√

8.半导体器件工作时的温度越高，性能越好。（）

答案：×

9.二极管在正向导通时，电流与电压成正比关系。（）

答案：×

10.三极管的集电极电流大于发射极电流。（）

答案