2025年（微电子科学与工程-半导体工艺设备）半导体工艺设备试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与工程-半导体工艺设备）半导体工艺设备试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.以下哪种设备用于半导体光刻工艺？（）

A.离子注入机B.光刻机C.化学气相沉积设备D.刻蚀机

2.半导体工艺中，氧化层生长通常使用的气体是（）

A.氧气B.氢气C.氮气D.氩气

3.化学气相沉积工艺中，沉积硅薄膜常用的气体是（）

A.硅烷B.甲烷C.乙烷D.乙烯

4.离子注入机的作用是（）

A.在半导体中引入杂质B.去除半导体表面杂质C.生长氧化层D.沉积薄膜

5.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）

A.保护不需要曝光的区域B.增强半导体导电性C.去除杂质D.沉积金属

6.以下哪种是湿法刻蚀的特点？（）

A.刻蚀精度高B.对特定材料选择性好C.易造成侧向腐蚀D.适合大规模集成电路

7.干法刻蚀中，常用的刻蚀气体不包括（）

A.氟气B.氯气C.氧气D.氢气

8.半导体工艺中，退火的目的不包括（）

A.消除晶格缺陷B.激活杂质C.提高半导体导电性D.沉积薄膜

9.电子束曝光系统主要用于（）

A.大规模光刻B.小尺寸光刻C.氧化层生长D.离子注入

10.半导体工艺设备中，用于清洗半导体表面的设备是（）

A.光刻机B.清洗机C.化学气相沉积设备D.刻蚀机

11.化学气相沉积设备中，反应腔的温度控制范围一般是（）

A.室温-100℃B.100℃-500℃C.500℃-1000℃D.1000℃-2000℃

12.离子注入机中，离子的加速能量通常在（）

A.几电子伏特B.几十电子伏特C.几百电子伏特D.几千电子伏特

13.光刻工艺中，曝光光源的波长对光刻分辨率影响较大，波长越短分辨率（）

A.越高B.越低C.不变D.不确定

14.湿法刻蚀中，常用的刻蚀液不包括（）

A.氢氟酸B.硫酸C.硝酸D.氢氧化钠

15.半导体工艺中，外延生长是指（）

A.在原有半导体表面生长一层新的半导体B.去除半导体表面杂质C.沉积金属薄膜D.生长氧化层

16.电子束蒸发设备用于（）

A.沉积金属薄膜B.生长氧化层C.光刻D.刻蚀

17.光刻机的分辨率主要取决于（）

A.曝光光源波长B.光刻胶厚度C.反应腔温度D.离子注入能量

18.化学气相沉积工艺中，反应气体的流量对沉积速率的影响是（）

A.流量越大，沉积速率越快B.流量越大，沉积速率越慢C.流量与沉积速率无关D.不确定

19.离子注入机中，离子束的扫描方式通常是（）

A.随机扫描B.逐行扫描C.螺旋扫描D.圆形扫描

20.半导体工艺设备中，用于测量半导体薄膜厚度的设备是（）

A.光刻机B.刻蚀机C.椭偏仪D.离子注入机

答案：1.B2.A3.A4.A5.A6.C7.D8.D9.B10.B11.C12.D13.A14.D15.A16.A17.A18.A19.B20.C

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

1.简答题（共20分）

-（1）简述光刻工艺的基本流程。（5分）

u光刻工艺基本流程包括：涂胶，在半导体表面均匀涂上光刻胶；曝光，通过曝光光源照射光刻胶，使其发生化学反应；显影，去除曝光区域的光刻胶，露出需要加工的半导体区域；刻蚀，对露出的半导体区域进行刻蚀加工；去胶，去除剩余的光刻胶。/u

-（2）说明化学气相沉积工艺的原理。（5分）

u化学气相沉积工艺原理是将含有薄膜组成元素的气态反应物引入到反应腔中，在一定温度、压力等条件下，气态反应物发生化学反应，在半导体表面沉积出固态薄膜。例如沉积硅薄膜，硅烷气体被引入反应腔，在高温下分解，硅原子沉积在半导体表面形成硅薄膜。/u

-（3）离子注入工艺中，如何控制离子注入的剂量和能量？（5分）

u控制离子注入剂量可通过调整离子源的发射电流、注入时间等实现。发射电流越大、注入时间越长，注入剂量越大。控制离子注入能量主要通过调整加速电压，加速电压越高，离子获得能量越大，注入深度越深。还可