2025年（微电子科学与技术）半导体材料试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与技术）半导体材料试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种材料不属于半导体材料？（）

A.硅B.锗C.铜D.砷化镓

2.半导体的导电性能介于（）之间。

A.导体和绝缘体B.超导体和导体C.绝缘体和超导体D.以上都不对

3.硅在常温下的本征载流子浓度相对（）。

A.较高B.较低C.适中D.不确定

4.杂质半导体中，P型半导体的多子是（）。

A.电子B.空穴C.离子D.中子

5.半导体材料的禁带宽度与（）有关。

A.温度B.压力C.光照D.以上都是

6.以下哪种方法可用于半导体材料的提纯？（）

A.蒸馏B.萃取C.区熔法D.过滤

7.半导体二极管的核心是（）。

A.PN结B.电极C.外壳D.引线

8.硅单晶生长常用的方法是（）。

A.化学气相沉积法B.分子束外延法C.提拉法D.溅射法

9.半导体材料的光电效应可用于制造（）。

A.发光二极管B.电阻C.电容D.电感

10.以下哪种半导体材料常用于高速集成电路？（）

A.硅B.锗C.碳化硅D.氮化镓

答案：1.C2.A3.B4.B5.D6.C7.A8.C9.A10.A

二、选择题（每题2分，共20分）

1.半导体中电子的有效质量（）自由电子质量。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

2.对于N型半导体，当温度升高时，其电导率（）。

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

3.半导体材料的迁移率与（）有关。

A.杂质浓度B.温度C.电场强度D.以上都是

4.以下哪种半导体器件具有放大作用？（）

A.二极管B.三极管C.电阻D.电容

5.半导体集成电路制造中，光刻的作用是（）。

A.在硅片上形成图案B.掺杂杂质C.生长单晶D.测试器件

6.化合物半导体材料的特点不包括（）。

A.性能多样B.制备工艺简单C.可实现特定功能D.光电性能好

7.半导体材料的热导率（）金属材料。

A.高于B.低于C.等于D.不确定

8.以下哪种是半导体材料的表面处理技术？（）

A.氧化B.电镀C.喷涂D.抛光

9.半导体发光二极管发出的光的颜色取决于（）。

A.材料禁带宽度B.电流大小C.封装形式D.散热情况

10.用于制造太阳能电池的半导体材料主要是（）。

A.硅B.锗C.砷化镓D.以上都可

答案：1.B2.A3.D4.B5.A6.B7.B8.A9.A10.A

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述半导体材料的主要特性。

___

半导体材料具有导电性介于导体和绝缘体之间、具有热敏性、光敏性、掺杂特性等。其导电性能受温度、光照、杂质等因素影响显著。通过掺杂可形成P型和N型半导体，从而实现各种半导体器件的功能。

2.说明P型半导体和N型半导体的形成原理。

___

P型半导体是在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼等，硼原子最外层有3个电子，与硅原子形成共价键时会产生一个空穴，这些空穴成为多子。N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质元素，如磷等，磷原子最外层有5个电子，多余的一个电子成为自由电子，自由电子成为多子。

3.解释半导体二极管的单向导电性。

___

半导体二极管由PN结组成。当外加正向电压时，外电场与内电场方向相反，削弱了内电场，使阻挡层变薄，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的正向电流，二极管导通。当外加反向电压时，外电场与内电场方向相同，增强了内电场，多数载流子的扩散运动受抑制，只有少数载流子的漂移运动形成很小的反向电流，二极管截止，从而表现出单向导电性。

4.简述半导体集成电路制造的基本流程。

___

半导体集成电路制造基本流程包括硅片制备、氧化、光刻、掺杂、刻蚀、金属化等步骤。首先制备高质量硅片，然后进行氧化形成绝缘层，通过光刻确定图案，再进行掺杂改变半导体电学性质，刻蚀去除不需要的部分，最后进行金属化形成电路连线，经过多次重复这些步骤制造出复杂的集成电路。

四、选择题（每题2分，共