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2025年（微电子科学与技术）高压集成电路设计试题及答案

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：请将每题正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.高压集成电路设计中，以下哪种技术常用于提高击穿电压？（）

A.缩小器件尺寸B.采用厚氧化层C.增加掺杂浓度D.降低电源电压

答案：B

2.对于高压MOSFET，其阈值电压通常随温度升高而（）。

A.升高B.降低C.不变D.先升高后降低

答案：B

3.高压集成电路中，为了减少闩锁效应，可采取的措施是（）。

A.增加寄生电阻B.降低衬底掺杂浓度C.优化版图设计D.提高电源电压

答案：C

4.以下哪种材料常用于高压集成电路的衬底？（）

A.硅B.锗C.碳化硅D.氮化镓

答案：A

5.在高压集成电路设计中，电源电压的选择主要考虑（）。

A.器件性能B.功耗C.成本D.以上都是

答案：D

6.高压集成电路的输出级通常采用（）。

A.共发射极电路B.共集电极电路C.推挽电路D.差分电路

答案：C

7.对于高压集成电路中的电阻，其阻值通常会随温度变化而（）。

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

答案：A

8.高压集成电路设计中，信号传输延迟主要受（）影响。

A.器件电容B.电阻C.电源电压D.以上都是

答案：D

9.为了提高高压集成电路的可靠性，可采用的方法是（）。

A.冗余设计B.降低工作频率C.增加散热措施D.以上都是

答案：D

10.以下哪种高压集成电路应用场景需要较高的耐压能力？（）

A.手机充电器B.笔记本电脑电源C.工业控制设备D.智能家居传感器

答案：C

11.高压集成电路设计中，版图设计的关键是（）。

A.减小寄生电容B.提高集成度C.降低功耗D.以上都是

答案：A

12.对于高压BJT，其电流增益通常随温度升高而（）。

A.升高B.降低C.不变D.先升高后降低

答案：B

13.高压集成电路中，为了实现低功耗设计，可采用的技术是（）。

A.动态电源管理B.降低阈值电压C.增加器件尺寸D.提高工作频率

答案：A

14.以下哪种模拟电路常用于高压集成电路中的信号放大？（）

A.运算放大器B.比较器C.振荡器D.滤波器

答案：A

15.高压集成电路设计中，电磁兼容性（EMC）设计主要考虑（）。

A.减少电磁辐射B.提高抗干扰能力C.优化电源滤波D.以上都是

答案：D

16.对于高压集成电路中的电容，其容值通常会随温度变化而（）。

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

答案：B

17.高压集成电路设计中，数字电路部分通常采用（）工艺。

A.CMOSB.TTLC.ECLD.BiCMOS

答案：A

18.为了提高高压集成电路的性能，可采用的工艺改进是（）。

A.先进的光刻技术B.新型掺杂工艺C.优化氧化工艺D.以上都是

答案：D

19.高压集成电路中，电源噪声对电路性能的影响主要表现为（）。

A.信号失真B.增加功耗C.降低可靠性D.以上都是

答案：D

20.以下哪种高压集成电路设计流程是正确的？（）

A.原理图设计-版图设计-工艺仿真-电路仿真

B.版图设计-原理图设计-电路仿真-工艺仿真

C.原理图设计-电路仿真-版图设计-工艺仿真

D.电路仿真-原理图设计-版图设计-工艺仿真

答案：C

第Ⅱ卷（非选择题，共60分）

一、简答题（共20分）

答题要求：请简要回答问题，答案写在下方下划线区域。每题5分，共4题。

1.简述高压集成电路中提高击穿电压的几种常见方法。

___

采用厚氧化层可增加器件的耐压能力；优化器件结构，如采用RESURF技术等；合理选择衬底材料和掺杂浓度等。

2.说明高压MOSFET阈值电压随温度变化的原因。

___

温度升高时，半导体中载流子浓度增加，导致阈值电压降低。这是因为温度升高使得本征载流子浓度增加，影响了MOSFET表面的载流子分布。

3.简述高压集成电路设计中减少闩锁效应的措施。

___

优化版图设计，避免寄生三极管形成正反馈回路；增加寄生电阻，降低寄生晶体管的电流增益；合理选择衬底掺杂浓度等。

4.解释高压集成电路中电源电压对