2025年（微电子科学与工程）半导体器件物理试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与工程）半导体器件物理试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将每小题正确答案的序号填在括号内。

1.半导体中参与导电的载流子是（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

答案：C

2.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.光照D.本征激发

答案：B

3.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：A

4.稳压二极管正常工作时，应处于（）

A.正向导通状态B.反向截止状态C.反向击穿状态D.不确定

答案：C

5.三极管工作在放大区时，发射结处于（），集电结处于（）。

A.正向偏置，正向偏置B.正向偏置，反向偏置

C.反向偏置，正向偏置D.反向偏置，反向偏置

答案：B

6.场效应管是利用（）来控制漏极电流的。

A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电流D.漏极电流

答案：A

7.对于MOS管，当栅源电压为零时，漏极电流（）。

A.很大B.很小C.为零D.不确定

答案：C

8.半导体中电子的能量状态是（）

A.连续的B.不连续的C.部分连续部分不连续D.不确定

答案：B

9.本征半导体的导电能力（）掺杂半导体的导电能力。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：B

10.当温度升高时，半导体的导电能力（）

A.增强B.减弱C.不变D.不确定

答案：A

第II卷（非选择题共60分）

11.简答题：简述PN结的单向导电性。

_答：当PN结外加正向电压时，外电场与内电场方向相反，使空间电荷区变窄，扩散电流大于漂移电流，形成较大的正向电流，PN结导通；当外加反向电压时，外电场与内电场方向相同，使空间电荷区变宽，漂移电流大于扩散电流，反向电流很小，PN结截止。所以PN结具有单向导电性。_

12.简答题：说明三极管实现电流放大的内部条件和外部条件。

_答：内部条件：发射区掺杂浓度高，基区很薄且掺杂浓度低，集电区面积大且掺杂浓度适中。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。这样才能使发射区向基区发射电子，电子在基区复合很少，大部分到达集电区，从而实现电流放大。_

13.简答题：比较MOS管和三极管的特点。

_答：MOS管输入电阻高，功耗低，抗干扰能力强，制造工艺简单，便于大规模集成；三极管电流放大倍数较大，频率特性较好，但输入电阻较小，功耗相对较大。_

14.讨论题：如何提高半导体器件的性能？

_答：可以通过优化半导体材料的掺杂浓度和分布来改善器件的电学性能。采用先进的制造工艺，减小器件尺寸，降低寄生参数。改进器件结构，如设计更合理的PN结、MOS管结构等。同时，合理选择工作条件，如温度、电压等，也能在一定程度上提高器件性能。_

15.简答题：简述半导体中载流子的散射机制。

_答：主要有晶格散射和杂质散射。晶格散射是由于晶格原子的热振动引起的，温度越高，晶格振动越剧烈，散射越强；杂质散射是由于杂质原子对载流子的散射作用，杂质浓度越高，散射越强。此外，还有电离杂质散射等其他散射机制。_

16.简答题：画出NPN型三极管的结构示意图，并标注各极。

_答：

┌────────────────────────────┐

│┌─────────────────────────────┐

││集电区（N）│

│││

││集电结│

│││

││基区（P）│

│││

││发射结│

││发射区（N）│

│└─────────────────────────────┘

│

└────────────────────────────┘

_

17.简答题：简述MOS管的工作原理。

_答：以N