2025年（微电子科学与技术）纳米半导体技术试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与技术）纳米半导体技术试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

1.纳米半导体技术中，纳米尺度一般指（）

A.1-100nmB.10-100nmC.1-10nmD.100-1000nm

答案：A

2.以下哪种材料不属于纳米半导体常用材料（）

A.硅B.碳C.铜D.锗

答案：C

3.纳米半导体的量子尺寸效应会导致（）

A.材料硬度增加B.电子能级离散化C.材料导电性增强D.材料磁性消失

答案：B

4.纳米半导体制造过程中，光刻技术主要用于（）

A.材料生长B.图案制作C.掺杂D.刻蚀

答案：B

5.对于纳米半导体器件，其功耗通常会随着尺寸减小而（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

答案：B

6.纳米半导体的表面效应会使材料的（）

A.表面积减小B.化学反应活性降低C.吸附能力增强D.热稳定性提高

答案：C

7.以下哪种技术可用于纳米半导体材料的掺杂（）

A.离子注入B.光刻C.外延生长D.氧化

答案：A

8.纳米半导体存储器相比传统存储器，优势在于（）

A.存储容量更小B.读写速度更快C.成本更高D.可靠性更低

答案：B

9.纳米半导体激光器的发光原理基于（）

A.热辐射B.电致发光C.光致发光D.化学发光

答案：B

10.研究纳米半导体技术的主要目的不包括（）

A.提高器件性能B.开发新型材料C.降低生产成本D.探索新的物理现象

答案：C

11.纳米半导体的载流子迁移率与（）有关

A.温度B.材料尺寸C.杂质浓度D.以上都是

答案：D

12.量子点属于哪种纳米半导体结构（）

A.零维B.一维C.二维D.三维

答案：A

13.在纳米半导体制造中，干法刻蚀的优点不包括（）

A.刻蚀精度高B.对材料损伤小C.成本低D.可实现高深宽比刻蚀

答案：C

14.纳米半导体传感器利用的主要特性是（）

A.光学特性B.电学特性C.热学特性D.力学特性

答案：B

15.纳米半导体的能带结构与宏观半导体相比，其特点是（）

A.能带变窄B.能带变宽C.能带分裂D.能带消失

答案：C

16.以下哪种纳米半导体制备方法属于物理方法（）

A.化学气相沉积B.分子束外延C.溶胶-凝胶法D.水热法

答案：B

17.纳米半导体发光二极管的发光颜色取决于（）

A.材料成分B.尺寸大小C.外加电压D.以上都是

答案：D

18.纳米半导体材料的比表面积越大，其（）

A.吸附性能越弱B.化学反应活性越低C.散热性能越好D.与外界相互作用越强

答案：D

19.纳米半导体场效应晶体管的栅极电容会随着尺寸减小而（）

A.增大B.减小C.不变D.先减小后增大

答案：B

20.研究纳米半导体技术需要综合运用多学科知识，不包括（）

A.物理学B.化学C.天文学D.材料科学

答案：C

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

（一）简答题（共20分）

答题要求：请简要回答问题，并在答题区域下划线处作答。

1.简述纳米半导体的量子尺寸效应及其对材料性能的影响。

量子尺寸效应是指当纳米半导体颗粒尺寸减小到一定程度时，电子能级由连续变为离散的现象。这会导致材料的光学、电学等性能发生显著变化，如吸收光谱蓝移、导电性改变等，使纳米半导体具有独特的性质，可用于制造高性能的光电器件等。

u量子尺寸效应使纳米半导体电子能级离散化，导致光学、电学性能变化，如吸收光谱蓝移、导电性改变，可用于制造高性能光电器件。/u

2.说明纳米半导体制造过程中光刻技术的基本原理和主要步骤。（5分）

光刻技术基本原理是通过光刻胶对光的敏感特性，将掩膜版上的图案转移到半导体表面。主要步骤包括涂覆光刻胶、曝光、显影，使光刻胶显露出与掩膜版图案对应的区域，后续通过刻蚀等工艺在半导体上形成所需图案。

u光刻技术利用光刻胶对光的敏感特性，将掩膜版图案转移到半导体表面，步骤包括涂覆光刻胶、曝光、显影，后续通过刻蚀等形成图案。/u

3.列举纳米半导体在光电器件领域的三个应用实例，并简要说明其工作原理。（6分）

纳米半导体在光电器件领域的应用实例及工作