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2025年（微电子科学与技术）微波半导体器件试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

1.微波半导体器件与低频半导体器件相比，其工作频率（）

A.更低B.更高C.相同D.不确定

答案：B

2.以下哪种器件不属于微波半导体器件（）

A.二极管B.三极管C.电阻D.场效应管

答案：C

3.微波半导体器件的主要特点不包括（）

A.高频特性好B.功率大C.体积小D.功耗低

答案：B

4.微波二极管中，利用势垒电容实现工作的是（）

A.变容二极管B.隧道二极管C.肖特基二极管D.体效应二极管

答案：A

5.变容二极管的电容变化与（）有关

A.电压B.电流C.频率D.温度

答案：A

6.隧道二极管的伏安特性曲线有（）个负阻区

A.1B.2C.3D.4

答案：B

7.肖特基二极管主要用于（）

A.高频整流B.低频放大C.稳压D.滤波

答案：A

8.体效应二极管产生振荡的原理是基于（）

A.雪崩效应B.隧道效应C.负阻效应D.光电效应

答案：C

9.微波三极管中，输入输出端之间的反馈主要通过（）

A.电容B.电感C.晶体管内部结构D.外接电路

答案：C

10.微波场效应管的优点不包括（）

A.噪声低B.增益高C.线性好D.功耗大

答案：D

11.以下哪种场效应管常用于微波放大（）

A.MOSFETB.JFETC.MESFETD.以上都是

答案：D

12.微波半导体器件的封装形式需要考虑（）

A.散热B.电磁兼容性C.机械稳定性D.以上都是

答案：D

13.对于微波半导体器件的测试，需要使用（）仪器

A.示波器B.频谱分析仪C.网络分析仪D.以上都是

答案：D

14.微波半导体器件在通信领域的应用主要包括（）

A.发射机B.接收机C.天线D.以上都是

答案：D

15.在雷达系统中，微波半导体器件可用于（）

A.信号产生B.信号放大C.信号处理D.以上都是

答案：D

16.微波半导体器件的发展趋势不包括（）

A.更高频率B.更大功率C.更低功耗D.更复杂结构

答案：B

17.研究微波半导体器件的材料选择需要考虑（）

A.介电常数B.电导率C.击穿电场D.以上都是

答案：D

18.微波半导体器件的制造工艺中，光刻技术用于（）

A.图形制作B.掺杂C.氧化D.外延生长

答案：A

19.微波半导体器件的可靠性测试包括（）

A.高低温循环B.湿热试验C.振动试验D.以上都是

答案：D

20.微波半导体器件的失效分析方法有（）

A.电子显微镜分析B.能谱分析C.电学性能测试D.以上都是

答案：D

第Ⅱ卷（非选择题，共60分）

1.简答题（共20分）

-序号1：简述变容二极管的工作原理及应用。

_变容二极管利用PN结的势垒电容随外加电压变化的特性工作。当外加电压变化时，势垒厚度改变，电容也随之改变。其应用广泛，如在调谐电路中作为可变电容，实现频率的微调；在频率调制电路中，通过改变变容二极管的偏置电压来实现频率调制。_

-序号2：说明隧道二极管负阻特性的形成原因。

_隧道二极管的负阻特性源于其独特的能带结构。当外加电压使电子通过隧道效应穿过禁带形成电流时，随着电压增加，电流先增大后减小，出现负阻区。这是因为电子通过隧道效应的概率在一定电压范围内变化，导致电流与电压关系呈现负阻特性。_

-序号3：简述微波三极管的工作原理及特点。

_微波三极管通过电子在发射区、基区和集电区的运动来实现放大等功能。其特点包括工作频率高，能处理微波频段信号；具有一定的增益，但受限于晶体管内部结构和寄生参数；输入输出端之间存在反馈，影响其性能等。_

-序号4：阐述微波场效应管的分类及各自特点。

_微波场效应管主要分为MOSFET、JFET、MESFET等。MOSFET具有输入阻抗高、功耗低等特点；JFET结构简单，噪声较低；MESFET利用肖特基势垒作为栅极，具有较高的电子迁移速度，适用于高频应用。_

2.讨论题（共20分）