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2025年（微电子科学与技术）微电子制造工艺试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.以下哪种光刻技术常用于大规模集成电路制造？（）

A.接触式光刻

B.接近式光刻

C.投影光刻

D.电子束光刻

答案：C

2.化学气相沉积（CVD）过程中，哪种气体用于提供反应所需的原子或基团？（）

A.载气

B.反应气体

C.稀释气体

D.保护气体

答案：B

3.离子注入的目的是（）

A.改变半导体材料的电学性能

B.去除杂质

C.形成绝缘层

D.提高材料的机械性能

答案：A

4.湿法刻蚀中，选择刻蚀液的关键因素不包括（）

A.对被刻蚀材料的选择性

B.刻蚀速率

C.成本

D.挥发性

答案：D

5.以下哪种材料可作为金属互连的常用材料？（）

A.硅

B.二氧化硅

C.铜

D.氮化硅

答案：C

6.光刻胶的作用是（）

A.保护半导体表面

B.作为刻蚀掩膜

C.提供电学性能

D.增强材料硬度

答案：B

7.干法刻蚀的优点不包括（）

A.高分辨率

B.对环境友好

C.可实现各向异性刻蚀

D.刻蚀速率高

答案：B

8.外延生长是指（）

A.在半导体衬底上生长一层不同材料的薄膜

B.去除半导体表面的一层材料

C.对半导体进行掺杂

D.提高半导体的纯度

答案：A

9.以下哪种工艺用于制造MOS晶体管的栅极？（）

A.光刻

B.氧化

C.离子注入

D.以上都是

答案：D

10.化学机械抛光（CMP）主要用于（）

A.平整半导体表面

B.去除杂质

C.形成金属互连

D.光刻胶去除

答案：A

11.以下哪种气体可用于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）？（）

A.氮气

B.氧气

C.氢气

D.以上都可以

答案：D

12.光刻过程中，曝光光源的波长对光刻分辨率有重要影响，波长越短，分辨率（）

A.越高

B.越低

C.不变

D.不确定

答案：A

13.离子注入过程中，离子的能量主要影响（）

A.注入深度

B.注入剂量

C.注入均匀性

D.注入杂质类型

答案：A

14.湿法氧化中，常用的氧化剂是（）

A.氧气

B.双氧水

C.硝酸

D.以上都是

答案：D

15.以下哪种光刻技术适用于超大规模集成电路制造中的精细图案制作？（）

A.极紫外光刻（EUVL）

B.深紫外光刻（DUVL）

C.光学光刻

D.电子束光刻

答案：A

16.化学气相沉积过程中，反应温度对薄膜生长有重要影响，一般来说，温度升高，薄膜生长速率（）

A.升高

B.降低

C.不变

D.不确定

答案：A

17.干法刻蚀中，等离子体的作用是（）

A.产生反应活性粒子

B.加热刻蚀液

C.提供能量使刻蚀更均匀

D.A和C

答案：D

18.以下哪种材料可作为绝缘介质层用于集成电路制造？（）

A.硅

B.二氧化硅

C.铜

D.多晶硅

答案：B

19.光刻胶的显影过程是（）

A.去除未曝光的光刻胶

B.去除曝光的光刻胶

C.使光刻胶固化

D.改变光刻胶的颜色

答案：A

20.以下哪种工艺用于制造CMOS集成电路中的有源区？（）

A.光刻

B.氧化

C.光刻和氧化

D.离子注入

答案：C

第II卷（非选择题共60分）

二、多项选择题（每题2分，共20分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内，多选、少选或错选均不得分。每题有两个或两个以上正确答案。

1.以下哪些是光刻技术的关键参数？（）

A.分辨率

B.套刻精度

C.曝光剂量

D.显影时间

答案：ABCD

2.化学气相沉积常用的反应类型有（）

A.热分解反应

B.化学合成反应

C.氧化反应

D.还原反应

答案：ABCD

3.离子注入的杂质元素可以是（）

A.硼

B.磷

C.砷

D.锑

答案：ABCD

4.湿法刻蚀的缺点包括（）

A.刻蚀速率不均匀

B.对环境有污染

C.难以实现高深宽比结构

D.设备成本高

答案：ABC

5.金属互连工艺中，需要考虑的因素有（）

A.金属材料的导电性

B.与半导体材料的兼容性

C.互连线路的电阻

D.互连线路的电容

答案：ABCD

6.光刻胶的性能要求包括（）

A.高分辨率

B.良好的粘附性

C.合适的曝光灵敏度

D.化学稳定性

答案：ABCD

7.干法刻蚀的优点有（）

A.高分辨率

B.可实现各向异性刻蚀

C.刻蚀速率可精确控制

D.对环境友好

答案：ABC

8.外延生长的方法有（