2026—2027年半导体芯片多物理场可靠性仿真与寿命预测软件帮助设计阶段避免失效获汽车电子等高质量要求领域设计公司采购.pptxVIP

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目录

一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、一、多物理场仿真技术如何成为汽车电子芯片可靠性设计的基石？专家深度剖析其协同仿真机理与未来五年技术演进路径

（一）电-热-力-磁多物理场强耦合机理及其在先进封装与纳米尺度芯片中的非线性相互作用建模挑战

半导体芯片，尤其是应用于汽车电子等领域的高性能器件，其失效模式极少由单一物理场引起。电迁移、热机械应力、电磁干扰、热电耦合效应在三维异构集成、FinFET/GAA等纳米结构中以高度非线性的方式相互耦合。例如，电流密度的不均匀分布（电）导致局部焦耳热（热），引发材料热膨胀不匹配（力），进而改变载流子迁移率和电学特性，形成正反馈循环直至失效。20