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CMOS数字集成电路原理与分析（第四章）集成电路互连线.pptx

CMOS数字集成电路原理与分析（第四章）集成电路互连线.pptx

    CMOS数字集成电路原理与分析;

    自对准工艺

    离子注入

    Si衬底(或阱)Si衬底(或阱)

    工艺偏差

    1.光刻套准误差对MOS器件性能的影响

    实际器件与设计目标存在偏差，器件性能不均衡

    2.掺杂浓度偏差对MOS器件性能的影响

    沟道掺杂过程中，剂量偏差(±3%-5%)直接改变载流子浓度分布，导致阈值电压波动。

    3.成膜厚度偏差对MOS器件性能的影响

    在栅氧化层制备中，厚度偏差会直接改变栅极电容值，导致阈值电压波动。在金属互连层中，厚度不均会导致电阻(R)与寄生电容(C)不均。

    柑极氧化膜

    硅化物

    深亚微米工艺;

    要点内容

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