探究GaN单晶材料掺杂与电学特性调控：理论、方法与应用.docx

探究GaN单晶材料掺杂与电学特性调控：理论、方法与应用

一、引言

1.1研究背景

在半导体材料的发展历程中，从第一代半导体硅（Si）、锗（Ge），到第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），再到如今备受瞩目的以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，每一次的变革都推动了电子技术的巨大进步。其中，GaN单晶材料凭借其卓越的性能，在现代半导体领域占据了极为重要的地位，展现出广阔的应用前景，对其深入研究显得尤为必要。

GaN是一种宽带隙半导体材料，其禁带宽度高达3.4eV，约为Si的3倍，这使得GaN在高温、高频、高功率应用中具有先天优势。在高