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内应力与离子辐照：解锁石墨烯场效应晶体管性能密码

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代信息技术的飞速发展，电子器件不断向小型化、高性能化方向迈进。在传统硅基器件逐渐逼近其物理极限的背景下，寻找新型材料和器件结构以满足日益增长的性能需求成为研究的关键。石墨烯作为一种由碳原子以sp2杂化方式构成的平面二维材料，自2004年被发现以来，因其独特的物理化学性质，在纳米电子学和微电子学领域引起了广泛关注。

石墨烯具有优异的电学性能，其载流子迁移率理论上可达100,000cm2/V?s，远超现有硅基场效应晶体管（FET），这使得石墨烯场效应晶体管（GFET）在高速电子器件中具有显著优势，有望成为下一代高速电子器件的关键材料，推动通信、计算等领域的技术革新。例如，在高频电子学中，GFET已在太赫兹（THz）探测器、射频放大器和高速光电探测器中取得了重要突破。同时，石墨烯场效应晶体管具有低漏电流特性，有助于降低电子器件的功耗，这对于移动设备和物联网设备尤为重要，使其成为未来绿色电子器件的理想选择。此外，石墨烯还具有极高的强度和弹性模量，其抗拉强度可达130GPa，是钢的数百倍，以及良好的化学稳定性和环境适应性，在极端条件下仍能保持良好的性能，这些特性使其在纳米电子学领域的研究中，有助于突破传统硅基FET的性能瓶颈，实现更高集成度和更小尺寸的电子器件，推动电子器件向更高性能、更小尺寸、更低功耗的方向发展。

然而，在实际应用中，石墨烯场效应晶体管的性能会受到多种因素的影响，其中内应力和离子辐照是两个重要因素。内应力可能产生于石墨烯的制备过程、与衬底的集成过程以及器件在工作过程中的热膨胀差异等。内应力的存在会改变石墨烯的晶格结构，进而影响其电学性能。例如，内应力可能导致石墨烯的能带结构发生变化，使得载流子的迁移率降低，影响晶体管的开关速度和导通电流等性能参数。而在一些应用场景中，如航空航天、核工业等，石墨烯场效应晶体管不可避免地会受到离子辐照。离子辐照会在石墨烯中引入缺陷，这些缺陷会干扰电子的传输，导致器件性能下降，如阈值电压漂移、开关比降低等。

因此，深入研究内应力及离子辐照对石墨烯场效应晶体管性能的影响具有重要的科学意义和实际应用价值。从科学意义角度来看，这有助于深入理解石墨烯与外界因素的相互作用机制，丰富二维材料的物理理论。通过研究内应力和离子辐照对石墨烯微观结构和电学性能的影响规律，可以为进一步优化石墨烯材料的性能提供理论基础。从实际应用价值方面考虑，掌握这些影响规律能够为石墨烯场效应晶体管的设计、制备和应用提供指导，提高器件的稳定性和可靠性，推动石墨烯在高速、低功耗电子器件等领域的实际应用，促进相关产业的发展。

1.2国内外研究现状

在石墨烯场效应晶体管性能研究方面，国内外学者取得了一系列重要成果。在电学性能参数研究上，众多研究表明石墨烯具有极高的电子迁移率，理论值可达100,000cm2/V?s，这一特性使得石墨烯场效应晶体管在高速电子器件应用中展现出巨大潜力。如通过化学气相沉积（CVD）法制备的石墨烯场效应晶体管，其电子迁移率在一定条件下能够接近理论值，在高频电路中表现出良好的信号传输能力。同时，石墨烯场效应晶体管的电流-电压特性也得到了广泛研究，发现其具有独特的线性和非线性区域，这与石墨烯的能带结构和载流子传输机制密切相关。

关于内应力对石墨烯场效应晶体管性能的影响，国内研究发现，在石墨烯与衬底的集成过程中，由于两者热膨胀系数的差异，会产生内应力，导致石墨烯的晶格发生畸变，进而使载流子迁移率降低。有团队通过实验和模拟相结合的方法，研究了不同衬底材料对石墨烯内应力的影响，发现选用与石墨烯热膨胀系数匹配度高的衬底，可以有效减小内应力，提高器件性能。国外也有研究指出，内应力还会影响石墨烯的能带结构，使得狄拉克点发生偏移，改变器件的阈值电压和开关特性。

在离子辐照对石墨烯场效应晶体管性能影响的研究上，国内有研究采用不同能量和剂量的离子对石墨烯进行辐照实验，发现随着辐照剂量的增加，石墨烯中的缺陷密度逐渐增大，电导率持续降低，电子输运机制也发生改变。国外研究则进一步探讨了离子辐照对石墨烯场效应晶体管电学性能参数的影响，如阈值电压漂移、跨导下降等，并且通过理论模型分析了离子辐照损伤的微观机制。

然而，目前的研究仍存在一些不足之处。一方面，对于内应力和离子辐照同时作用下对石墨烯场效应晶体管性能的综合影响研究较少，两者之间可能存在复杂的相互作用，需要进一步深入探究。另一方面，在微观机制的研究上，虽然已经取得了一些进展，但仍不够完善，例如内应力和离子辐照导致的缺陷对电子态密度的影响等方面，还需要更深入的理论分析和实验验证。此外，现有的研究大多集中在实验室条件下，对于实际应用场景中的复杂环境因素考虑