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2026秋招：工艺整合真题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种工艺常用于去除硅片表面氧化层？

A.光刻

B.蚀刻

C.镀膜

D.离子注入

2.光刻工艺中，用于将光刻胶图案转移到衬底上的设备是？

A.光刻机

B.刻蚀机

C.清洗机

D.离子注入机

3.化学气相沉积（CVD）主要用于？

A.表面清洗

B.沉积薄膜

C.图形光刻

D.掺杂杂质

4.衡量工艺稳定性的指标是？

A.良率

B.产能

C.成本

D.周期

5.离子注入的主要目的是？

A.形成绝缘层

B.改变材料导电性

C.提高表面硬度

D.增强耐腐蚀性

6.以下哪种工艺不属于薄膜沉积工艺？

A.PVD

B.CVD

C.电镀

D.蚀刻

7.工艺整合中，优化工艺顺序的主要目的是？

A.降低成本

B.提高良率

C.增加产能

D.以上都是

8.清洗工艺的主要作用是？

A.去除杂质

B.改善表面平整度

C.增强附着力

D.以上都是

9.光刻工艺中，光刻胶的作用是？

A.保护衬底

B.形成图案

C.提高导电性

D.增强耐腐蚀性

10.衡量芯片制造工艺先进程度的关键指标是？

A.线宽

B.芯片面积

C.引脚数量

D.工作频率

多项选择题（每题2分，共20分）

1.工艺整合中需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.成本

C.良率

D.产能

2.以下属于物理气相沉积（PVD）方法的有？

A.溅射

B.蒸发

C.化学镀

D.电镀

3.光刻工艺的主要步骤包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

4.离子注入工艺的优点有？

A.精确控制杂质浓度

B.可实现浅结注入

C.工艺简单

D.成本低

5.清洗工艺的方法有？

A.湿法清洗

B.干法清洗

C.机械清洗

D.化学清洗

6.薄膜沉积工艺的质量指标有？

A.厚度均匀性

B.表面平整度

C.成分纯度

D.附着力

7.工艺整合的目标是？

A.提高芯片性能

B.降低成本

C.提高生产效率

D.保证产品质量

8.刻蚀工艺可分为？

A.湿法刻蚀

B.干法刻蚀

C.化学刻蚀

D.物理刻蚀

9.以下哪些工艺会影响芯片的电学性能？

A.离子注入

B.薄膜沉积

C.光刻

D.清洗

10.衡量工艺整合效果的指标有？

A.良率

B.产能

C.成本

D.芯片性能

判断题（每题2分，共20分）

1.工艺整合只需要考虑单个工艺的优化，无需考虑工艺之间的兼容性。（）

2.光刻工艺是芯片制造中最重要的工艺之一。（）

3.化学气相沉积（CVD）只能沉积单一成分的薄膜。（）

4.离子注入工艺可以精确控制杂质的注入深度和浓度。（）

5.清洗工艺只需要去除表面的大颗粒杂质即可。（）

6.物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）的原理相同。（）

7.刻蚀工艺的目的是将光刻胶图案转移到衬底上。（）

8.工艺整合的最终目标是提高芯片的性能和降低成本。（）

9.薄膜沉积工艺的质量对芯片的性能没有影响。（）

10.提高工艺良率是工艺整合的唯一目标。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述工艺整合的概念。

工艺整合是将芯片制造中的多个工艺环节进行系统规划、协调和优化，使各工艺相互兼容、配合，以实现提高芯片性能、良率，降低成本，提升生产效率等目标。

2.光刻工艺的主要作用是什么？

光刻工艺主要作用是在芯片制造的衬底上精确复制掩膜版上的图案，为后续刻蚀、离子注入等工艺提供精确的图形模板，是芯片制造中定义电路结构的关键步骤。

3.离子注入工艺的优缺点分别是什么？

优点是能精确控制杂质浓度和注入深度，可实现浅结注入；缺点是设备昂贵，成本高，注入后需高温退火消除损伤。

4.清洗工艺在芯片制造中的重要性体现在哪些方面？

清洗工艺可去除芯片制造过程中引入的杂质、颗粒、有机物等，保证衬底表面洁净，提高后续工艺的附着力和均匀性，对提高芯片良率和性能至关重要。

讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论工艺整合中如何平衡成本和良率的关系。

可通过优化工艺顺序，减少不必要工序降低成本；同时加强工艺监控和质量控制提高良率。还可采用性价比高的材料和设备，在保证一定良率基础上控制成本。

2.谈谈光刻工艺对芯片性能的影响。

光刻精度决定芯片电路尺寸和间距，高精度光刻可实现更小线宽，提高芯片集成度、运行速度和降低功耗。若光刻出现偏差，会导致电路短路、断路等，影响芯片性能和良率。

3.分析离子注入工艺在未来芯片制造中的发展趋势。

未来会向更高精度、更低能量、更大束流方向发展，以满足先进芯片对浅结、低损伤注