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Infineon英飞凌IGBT产品手册IKQB200N75CP2用户手册.pdf

Infineon英飞凌IGBT产品手册IKQB200N75CP2用户手册.pdf

    英飞凌短路耐受型750VEDT2IGBT，采用可回流焊接的封装，与软、快速恢复二极管共同封装

    特性

    •VCE=750V

    •IC=200A

    •低饱和电压VCEsat=1.4V

    •低开关损耗

    •短路耐受性3µs

    •IGBT与全电流，软的及快恢复二极管合封

    •针对高达10kHz的硬开关拓扑进行了优化

    •封装背面可在245°C下回流焊接达3次

    •引脚镀层可进一步实现电阻焊接

    •完整的产品范围和PSpice模型：/igbt/

    潜在应用

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