电子电路线路课件复习考试第二章.pdfVIP

第二章

第二章

晶体三极管

晶体三极管

三极管典型封装形式

三极管基本结构及电路符号

2.1放大模式下晶体三极管的工作原理

2.1.1内部载流子传输过程

当NPN型晶体管工作在放大模式，即发射结加正偏，集电结加

反偏时：

I:发射区中多子自由电子通过发射

En

结到基区的电子电流

I:基区中多子空穴通过发射结到发

Ep

射区的空穴电流

I:集电区中少子空穴通过集电结而形成的空穴电流

Cp

I:基区中到达集电结边界的非平衡少子电子通过集电结的电子

Cn1

电流

I:基区中少子电子通过集电结而形成的电子电流

Cn2

集电结反向饱和电流:

两个结共同流入基极的电流:

三极管三个极的电流关系:

共基极电流放大系数:

(表示I转化为I的能力)

ECn1

:发射区发射效率，表示能够转化为集电极电流的有用成分I

EEn

在IE中占的百分比

:基区传输效率，表示受控集电极电流I在I中占的百分比

BCn1En

综上：只有发射区中多子自由电子通过发射结电流IEn转化为集电

结电流ICn1，成为产生上述正向受控作用的载流子，大小只受正

偏发射结电压控制；其他载流子流为寄生电流。

发射结为不对称结，发射区搀杂浓度远大于基区；

减小寄生电流：基区宽度小；

集电结面积大于发射结。

2.1.2电流传输方程

晶体三极管的三种连接方式：

共基共发共集

一、共基极

由ICBO很小，则

二、共发射极

引入参数

引入参数

:共发射极电流放大系数

I:穿透电流，为基极开路时(I=0)的集电极电流。

CEOB

的物理含义

:表示I中受发射结电压控制的电流成分（I+I)

BBCBO

对集电极正向受控成分I=(II)的控制能力，

Cn1CCBO

若忽略I，则表示I对I的控制能力。

CBOBC

I的物理含义

CEO

发射结正偏，集电结反偏，晶体管仍然工作在放大模式。基极

开路时，I=0，I中的受控电流成分I+II=I，其值被