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第三章

第三章

场效应管

场效应管

场效应管有:

•金属-氧化物-半导体型场效应管MOSFET

•结型场效应管JFET

3.1MOS场效应管

MOS场效应管分：增强型EMOS，又分N管和P管

耗尽型DMOS，又分N管和P管

电路符号：

N沟道增强型P沟道增强型N沟道耗尽型P沟道耗尽型

3.1.1EMOS场效应管结构

N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑

结构，它是在P型半导体上生成一层SiO薄绝缘层，

2

然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引

出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之

间的绝缘层上覆盖一层金属铝作为栅极G(目前多采用多

晶硅)。P型半导体称为衬底，用符号B表示。

3.1.2EMOS场效应管工作原理(N沟道)

通常情况下，源极一般都与衬底极相连；正常工

+

作时，作为源、漏区的两个N区与衬底之间的PN

结必须外加反偏电压。

一、截止区与沟道形成

V:开启电压，是开始形成反型层所需的v值。SO

GS(th)GSi2

+

绝缘层越薄，两个N区的掺杂浓度越高，衬底掺杂浓度

越低，V越小。

GS(th)

二、vV，0vv－V

GSGS(th)DSGSGS(th)

栅极和沟道的压差在近源

端最大，在近漏端最小，

v＝v-v，因此沟道呈

GDGSDS

锥形分布，电流同时受vGS

和v控制。

DS

三、vV，vv－V

GSGS(th)DSGSGS(th)当v=v-V时，近漏端

DSGSGS(th)

沟道夹断。夹断后，沟道长度

几乎不变，且v＝V，v

GAGS(th)AS