微电子器件复试资料 成都电子大学场效应管.pdfVIP

模拟电路

第1.4场效应管

场效应晶体管（英语：Field-EffectTransistor，缩写：

FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。场效应管

靠半导体中某种类型载流子的沟道导电，它通过电场去控制导

电沟道的形状，从而控制其导电性，是单极型晶体管。

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第1.4场效应管

FET主要特点：

FET主要特点：

1).FET是一种电压控制器件，其模型具有VCCS特性;

1).FET是一种电压控制器件，其模型具有VCCS特性;

2).FET输入阻抗高，易实现直接耦合;

2).FET

3).FET工作频率高，开关速度快；

3).FET工作频率

4).FET工艺简单，易集成(LSIVLSI);

FET工艺简单，

5).FET噪声低，可用于高灵敏放大器。

FET噪声低，可用于高灵敏放大器。

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JFET输入电阻约为1010。而MOSFET输入

JFET输入电阻约为1010。而MOSFET输入

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电阻可高达1015。

电阻可高达10。

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场效应管简介

•场效应管的电极

所有的FET都有栅极(g)、源极(s)、漏极(d)三个端，除了

结型场效应管外，其余的FET还有第四端，被称为体、基(B)

或衬底。

这些端子的名称和它们的功能有关。

栅极(gate)可以被认为是控制一个栅门的开关，

它可以通过使源极(sourse)和漏极(drain)之间的沟

s道产生或者消除，从而允许或者阻碍载流子流过。

g如果受一个外加的电压影响，载流子将从源极

d流向漏极。

衬底就是栅极、源极、漏极所在的半导体的块

体，常和源极连在一起。

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FET的分类：

FET的分类：

l从参与导电的载流子来划分，FET有自由电子导电的

N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。

l沟道在施加外电压后才形成－增强型

l沟道在施加外电压前就存在－耗尽型

N沟道

JFETJFET为耗尽型

结型场效应管P沟道

JunctionFET

FETN沟道

增强型

P沟道

MOSFET

N沟道

金属氧化物半导体场效应管耗尽型

Metal