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第一章

第一章

晶体二极管

晶体二极管

晶体二极管

n结构示意图

n典型的封装形式

1.1半导体物理基础知识

半导体：有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体

之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和

一些硫化物、氧化物等。

半导体的特点：

q当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。

q往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能

力明显改变。

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半导体的电阻率为10～10*cm。

典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。

1.1.1本征半导体

对于半导体中常用的硅和锗，它们原子的最外

层电子都是4个，即有4个价电子。

一、本征半导体

硅或锗晶体的四个价电子分别与周围的四个原子的价

电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共

有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。

如图所示：

它们称为单晶，是制造半导体的基本材料。

本征半导体——化学成分纯净的半导体。

制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到

99.9999999%，常称为“九个9。它在物理结

构上呈单晶体形态。

二、本征激发和复合

当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子。当

温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价

电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电

子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。自由电子

产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，

原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子

的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。

因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，

称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴

中去，称为复合，

本征半导体的导电机理

自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定

向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。

本征半导体中电流由两部分组成：

1.自由电子移动产生的电流。

2.空穴移动产生的电流。

本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。

温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导

电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外

部因素，这是半导体的一大特点。

三、热平衡载流子浓度

温度一定时，半导体中的本征激发和复合会在某一平

衡载流子浓度值上达到动态平衡。

此时热平衡载流子浓度为:

1.1.2杂质半导体

在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使

半导体的导电性能发生显著变化。成为杂质半导体

N型半导体：掺入五价元素的杂质，可使晶体自由

电子浓度大大增加，也称为（电子型

半导体）。

P型半导体：掺入三价元素的杂质，可使晶体空穴浓

度大大增加，也称为（空穴型半导体）。

一、N型半导体

在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）

，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子

的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的

半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这

个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由

电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离

子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。

N型半导体中的

自由电子浓度大