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第三章场效应管

第三章场效应管

3.1MOS场效应管

场效应管

3.1MOS

3.2结型场效应管

3.2结型场效应管

3.3场效管应用原理

3.3场效管应用原理

概述

概述

场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器

件。它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是

目前制造大规模集成电路的主要有源器件。

MOS场效应管

场效应管分类：

场效应管分类：

结型场效应管

场效应管与三极管主要区别：

场效应管与三极管主要区别：

•场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。

•场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。

1.

场效应管放大器(FET)

•场效应管有两大类：结型场效应管(简称JFET)

和绝缘栅型场效应管(简称IGFET或MOS)，每

类又分N沟道和P沟道，绝缘栅型场效应管又分

增强型(E型)和耗尽型(D型)，具体分法如下：

•场效应管全部用硅材料制造。

3.1MOS场效应管

3.1MOS场效应管

N沟道（NMOS）

增强型（EMOS）

P沟道（PMOS）

MOSFET

MOSFET

N沟道（NMOS）

耗尽型（DMOS）

P沟道（PMOS）

N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似，不

同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因

此导致加在各极上的电压极性相反。

3.1.1增强型MOS场效应管

3.1.1增强型MOS场效应管

qN沟道EMOSFET结构示意图

源极金属栅极

衬底极漏极

USGD

沟道

电路符号W宽度

D

SiO

++++2

PNNP

绝缘层

Ul

G

P型硅

SP