WO2025007589A1 正面宽带隙掺杂的联合钝化背接触太阳电池及其制备方法 （福建金石能源有限公司）.docxVIP

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年1月9日(09.01.2025)

WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/007589A1

(51)国际专利分类号：

HO1L31/0747(2012.01)HO1L31/18(2006.01)HO1L31/0352(2006.01)HO1L31/20(2006.01)

(21)国际申请号：PCT/CN2024/082390

(22)国际申请日：2024年3月19日(19.03.2024)

(25)申请语言：中文

(26)公布语言：中文

(30)优先权：

202310814819.02023年7月5日(05.07.2023)CN

(71)申请人：福建金石能源有限公司(GOLDSTONE(FUJIAN)ENERGYCOMPANYLIMITED)[CN/CN];中国福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)泉源路17号，Fujian362200(CN)。

(72)发明人：张超华(ZHANG,Chaohua);中国福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)泉源路17号，Fujian362200(CN)。林楷睿(LIN,Kairui);中国福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)泉源路17号，Fujian362200(CN)。黄晓狄(HUANG,Xiaodi);中国福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)泉源路17号，Fujian362200(CN)。林锦山(LIN,Jinshan);中国福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)泉源路17号，Fujian362200(CN)。

(74)代理人：北京超凡宏宇知识产权代理有限公司(CHOFNINTELLECTUALPROPERTY);中国北京市海淀区北四环西路68号左岸工社1215-1218室，Beijing100080(CN)。

(81)指定国(除另有指明，要求每一种可提供的国家保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,

(54)Title:COMBINEDPASSIVATIONBACKCONTACTSOLARCELLHAVINGFRONTWIDEBANDGAPDOPING,ANDPREPARATIONMETHODTHEREFOR

(54)发明名称：正面宽带隙掺杂的联合钝化背接触太阳电池及其制备方法

图13

WO2025/007589A1(57)Abstract:Thepresentdisclosurerelatestothetechnicalfieldofbackcontactsolarcells,andinparticularrelatestoacombinedpassivationbackcontactsolarcellhavingfrontwidebandgapdoping,andapreparationmethodtherefor.Thesolarcellcomprisesasiliconwafer,andafirstsemiconductorlayer,asecondsemiconductorlayerandathirdsemiconductorlayerarrangedonthefrontfaceofthesiliconwafer.Thethirdsemiconductorlayercomprisesasecondtunnelingoxidelayerandathirddopedpolycrystallinesiliconlayer,providedinsequencefrominsidetooutside.Thethirddopedpolycrystalinesiliconlayerisadopedpolycrystallinesiliconlayercontainingafirstdopingelementandaseconddopingelement,thefirstdopingelementbeingphosphorus,andth