宽带射频应用硅VDMOSLDMOS晶体管技术规格.pdfVIP

polyfet射频器件F2048

概述

专为宽带射频应用设计的硅专利金金属化

VDMOS和LDMOS晶体管。适用硅栅增强模式

于无线电、蜂窝和寻呼放大基射频功率VDMOS晶体管

站、广播FM/AM、MRI、激光驱

动器等。10瓦单端

PolyfetTM工艺采用金金封装样式AC

属，大大延长了使用。低输

出电容和高Ft值提高了宽带性能。高效率，线性，

高增益，低噪声

o

绝对最大额定值（TC=25°C）

总计结点到最大值直流漏电漏电至漏电至栅极到

设备外壳热阻结点温度电流e源极源极

耗散电阻温度电压电压电压

40瓦4.2℃/W200℃‑65℃到150℃3.2A70V70V30V

射频特性（10瓦输出）

符号参数MINTYPMAX单位测试条件

Gps公共源功率盖10dBIdq=0.8A，Vds=28.0V，F1000MHz

漏极效率45%Idq=0.8A，Vds=28.0V，F1000MHz

VSWR负载失配20:1相对Idq=0.8A,Vds=28.0V,F1000MHz

电气特性（每侧）

符号参数MINTYPMAX单位测试条件

Bvdss漏极击穿电压65VIds=0.04A，Vgs=0V

Idss零偏置漏极电流0.8mAVds=28.0V,Vgs=0V

Igss栅极泄漏电流1uAVds=0V,Vgs=30V

Vgs栅极偏置电压用于漏极电流17VIds=0.08A,VgsVds

gM正向跨导0.8MhoVds=10V，Vgs=5V

Rdson饱和电阻