演示文稿结与二极管原理课件.pptVIP

2、单边突变结的雪崩击穿电压（1）击穿的临界电场强度第六十三页，共110页。第六十四页，共110页。（2）雪崩击穿的电压第六十五页，共110页。第六十六页，共110页。单边突变结雪崩击穿电压低掺杂浓度雪崩击穿电压第六十七页，共110页。3、线性缓变结的雪崩击穿电压第六十八页，共110页。第六十九页，共110页。第七十页，共110页。最大场强第七十一页，共110页。2.4.3影响雪崩击穿电压的因素杂质浓度如果衬底杂质浓度N0高，就容易被击穿。场强不同击穿电压的因素：杂质的浓度，外延层厚度、扩散结结深和表面状态。1、杂质浓度对击穿电压的影响第七十二页，共110页。2、雪崩击穿电压与半导体外延层厚度的关系外延层（低掺杂区）厚度W击穿电压由N型区的电阻率决定外延层较宽W外延层:同型材质的低掺杂区；反向偏压增大势垒区扩展结面第七十三页，共110页。场强随着反向偏压升高而增大较低的反向偏压下就会击穿外延层较薄外延层较薄势垒区扩展：穿通效应；难以进入重掺杂区；边界增加的反向偏压结面第七十四页，共110页。条件：相同的偏压，N区的掺杂浓度相同但厚度不同。第七十五页，共110页。3、扩散结结深对击穿电压的影响纵向扩散横向扩散第七十六页，共110页。先发生击穿由于碰撞电离率随电场强度的增加而快速增大，因此他们的击穿电压为：第七十七页，共110页。1.正向PN结空间电荷区复合电流；正偏时，由于空间电荷区内有非平衡载流子的注入，载流子浓度高于平衡值;浓度相差很大复合影响不显著浓度相差很大复合影响不显著电子和空穴浓度基本相等复合影响显著复合地点不同通过空间电荷区复合中心的复合相对较强第三十一页，共110页。2.反向PN结空间电荷区的产生电流；反偏时，由于空间电荷区对载流子的抽取作用，空间电荷区内载流子浓度低于平衡值，故产生率大于复合率;产生出来的电子?空穴对产生电流是反向扩散电流之外的一个附加的反向电流;空间电荷区宽度随着反向偏压的增大而展宽，电荷区的数目增多，产生电流是随反向偏压增大而增大。第三十二页，共110页。3．PN结表面复合和产生电流；PN结的空间电荷区被延展、扩大；表面空间电荷区的宽度随反向偏压的增加而加大，跟PN结本身的空间电荷区宽度的变化大体相似。(1)表面电荷引起表面空间电荷区表面空间电荷区的复合中心将引起附加的正向复合电流和反响的产生电流，表面空间电荷越大，引起的附加的电流也就越大。第三十三页，共110页。界面态的复合和产生作用，也同样由于表面空间电荷区而得到加强，它们对PN结也将引进附加的复合和产生电流。(2)硅?二氧化硅交界面的界面态第三十四页，共110页。表面沟道电流表面漏导电流衬底正电荷较多形成N型反型层PN结面积增大，因而反向电流增大。表面玷污引起表面漏电也将产生反向电流增加?反偏第三十五页，共110页。4.串联电阻的影响PN结的串联电阻（包括体电阻和欧姆接触电阻）RSRS结上电压降衬底当电流足够大时，外加电压的增加主要降落在串联电阻上，电流?电压特性近似线性关系。解决办法减小体电阻第三十六页，共110页。5.大注入的影响PN+E正向大电流;注入P区的非平衡少子电子将产生积累;维持电中性必然要求多子空穴也有相同的积累;多子空穴存在浓度梯度，使空穴产生扩散，一旦空穴离开，P区的电中性被打破，在P区必然建立起一个电场E，阻止空穴的扩散以维持电中性，该电场为大注入自建电场。该电场的方向是阻止空穴扩散，但有助于加速电子的扩散。修正的正向电流：P第三十七页，共110页。相比小注入，大注入的特点1、大注入时，空穴的电流密度与P区杂质的浓度无关原因：电中性的条件导致空穴的浓度等于少子电子的浓度，出现了空穴的积累。2、大注入时，少子电子的扩散系数增加一倍原因：P区产生自建电场，使少子电子扩散的同时，产生漂移3、小注入时，电流为；大注入时，电流为原因：电流增大后，电压不完全降落在空间电荷区域，有一部分降落在P区第三十八页，共110页。6.温度的影响随温度变化的程度，起决定作用的要算niI0∝∝随着温度的升高，PN结正、反向电流都会迅速增大。在室温附近，锗PN结，温度每增加10℃，I0增加一倍；温度每增加