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5月微机原理及应用复习题（含参考答案）

一、单选题（共40题，每题1分，共40分）

1.以下ROM中,允许用户编程操作次数最多是【】。

A、掩模式只读存储器MROM

B、可编程的只读存储器EPROM

C、可编程只读存储器PROM

D、电可擦除可编程ROM

正确答案：D

2.使一个8位二进制数（XXXXXXXX）的第1，3，5位置0，其余位不变的算式是

A、XXXXXXXX^11010101

B、XXXXXXXX00101010

C、XXXXXXXX⊕11010101

D、XXXXXXXXv11010101

正确答案：A

3.能对外部随机事件做出灵活反应的传送方式是

A、无条件传送

B、查询传送

C、中断传送

D、DMA传送

正确答案：C

答案解析：中断传送是CPU在正常运行程序时，由于内部或外部事件的触发，暂时中断当前程序的执行，转去执行相应的中断服务程序，处理完该事件后再返回原程序继续执行。它能够对外部随机事件及时做出响应，实现灵活处理。无条件传送不考虑外部设备状态直接传送，无法应对随机事件；查询传送需要不断查询设备状态，不够灵活快速响应随机事件；DMA传送主要用于高速数据批量传输，不是针对随机事件灵活反应的传送方式。

4.STM32F103的I2C通信端口数有【】。

A、1个

B、2个

C、3个

D、4个

正确答案：B

5.对于STM32的VDD和VSS引脚说法正确的是（）

A、VDD和VSS都要接入电源正极

B、VDD和VSS都要接入电源地

C、VDD接入电源正极，VSS接入电源地

D、VDD接入电源地，VSS接入电源正极

正确答案：C

答案解析：VDD是芯片的电源正极引脚，需要接入电源正极；VSS是芯片的电源地引脚，需要接入电源地。所以选项C正确，选项A中VSS接入电源正极错误，选项B中VDD接入电源地错误，选项D中VDD和VSS接入错误。

6.十六进制数加法运算0x38+0x74的结果是

A、0xAC

B、112

C、0xB2

D、0x10C

正确答案：A

7.关于半导体存储器说法正确的是【】。

A、只读存储器的内容可以被改写

B、静态储存器是指内容不变化的存储器

C、动态存储器的读操作对存储内容没有影响

D、静态存储器所用元件比动态存储器的多

正确答案：D

答案解析：只读存储器分为掩膜型只读存储器、可编程只读存储器等，掩膜型只读存储器内容不可改写，可编程只读存储器可改写，A错误；静态存储器是靠双稳态触发器来记忆信息的，不是内容不变化，B错误；动态存储器读操作会使存储电容上的电荷泄放，需要刷新来恢复原来的状态，对存储内容有影响，C错误；静态存储器每个存储单元需要多个晶体管来构成双稳态触发器，而动态存储器靠电容存储信息，结构相对简单，所用元件比动态存储器少，D正确。

8.CM3的堆栈类型是向下生长的满栈，一次出栈操作的动作过程是

A、先将堆栈存储单元内容弹出，再将SP的值加4

B、先将SP的值加4，再弹出堆栈存储单元的内容

C、先将堆栈存储单元内容弹出，再将SP的值减4

D、先将SP的值减4，再弹出堆栈存储单元的内容

正确答案：A

9.在试制某一嵌入式应用系统的过程中，用于存储监控程序的存储器应该选用【】。

A、RAM

B、PROM

C、MROM

D、FlashROM

正确答案：D

答案解析：在嵌入式应用系统中，FlashROM具有可擦除、可编程的特点，适合存储监控程序等需要经常更新和修改的代码。RAM主要用于数据的临时存储，掉电后数据丢失，不适合存储监控程序；PROM是一次性可编程的只读存储器，不便于修改；MROM是掩膜只读存储器，不能修改。所以应该选用FlashROM。

10.如果一次出栈操作是先将栈顶存储的内容弹出，再将SP的值减4，这个堆栈是

A、向下生长的满栈

B、向下生长的空栈

C、向上生长的满栈

D、向上生长的空栈

正确答案：C

答案解析：对于向上生长的满栈，栈顶元素弹出后，栈顶指针要向上移动，即SP的值要增加，这里是将SP的值减4，说明栈是向下生长的。对于满栈，栈顶存储的内容弹出后，SP的值减4，符合向下生长满栈的操作特点。所以是向下生长的满栈，答案选A。

11.32位计算机存储器的一个地址编码对应【】。

A、两个字节，16位二进制数

B、三个字节，24位二进制数

C、一个字节，8位二进制数

D、四个字节，32位二进制数

正确答案：C

12.对于SPI总线上主机的MISO引脚，从机上与之相联的引脚是【】。

A、MISOC、SCKD、NSS

B、MOSI

正确答案：A

13.如果处于烧写程序模式，STM32MCU的启动区域应该是

A、用户FLASH

B、系统存储区

C、内部RAM

D、外部RAM

正确答案：B

14.如果