wb半导体技术员考试试题.docxVIP

wb半导体技术员考试试题

姓名：__________考号：__________

题号

一

二

三

四

五

总分

评分

一、单选题(共10题)

1.什么是MOSFET的基本结构？()

A.N沟道MOSFET

B.P沟道MOSFET

C.双极型晶体管

D.MOSFET由N型和P型半导体组成

2.在半导体中，电子和空穴的浓度分别为n和p，以下哪个公式表示电子和空穴的浓度乘积？()

A.n*p=1

B.n*p=0

C.n*p=q

D.n*p=ekT

3.PN结在正向偏置时，以下哪个说法是正确的？()

A.PN结反向导通

B.PN结正向导通

C.PN结处于截止状态

D.PN结无电流

4.晶体管的三极管结构中，发射极、基极和集电极分别对应以下哪种半导体材料？()

A.NPN结构：N型、P型、N型；PNP结构：P型、N型、P型

B.NPN结构：P型、N型、P型；PNP结构：N型、P型、N型

C.NPN结构：N型、N型、P型；PNP结构：P型、P型、N型

D.NPN结构：P型、P型、N型；PNP结构：N型、N型、P型

5.在集成电路制造中，光刻技术主要用于哪个步骤？()

A.沉积

B.光刻

C.离子注入

D.化学气相沉积

6.在MOSFET中，以下哪个参数表示晶体管的放大能力？()

A.电流增益β

B.电压增益AV

C.输入阻抗

D.输出阻抗

7.在半导体物理中，以下哪个概念表示半导体中电子和空穴的复合？()

A.散射

B.复合

C.漂移

D.迁移

8.以下哪种掺杂类型可以提高硅的导电性？()

A.受主掺杂

B.施主掺杂

C.中性掺杂

D.电阻性掺杂

9.在半导体器件中，以下哪个参数表示器件的开关速度？()

A.电流增益β

B.电压增益AV

C.开关时间

D.输入阻抗

二、多选题(共5题)

10.在半导体制造过程中，以下哪些步骤涉及到光刻技术？()

A.沉积

B.光刻

C.离子注入

D.化学气相沉积

E.硅片切割

11.以下哪些材料是半导体器件中常见的掺杂剂？()

A.砷

B.硼

C.铟

D.镓

E.铅

12.以下哪些因素会影响MOSFET的开关速度？()

A.沟道长度

B.沟道宽度

C.漏极电压

D.栅极电压

E.电源电压

13.在半导体物理中，以下哪些效应会导致载流子散射？()

A.碰撞散射

B.电场散射

C.磁场散射

D.空间电荷散射

E.光子散射

14.以下哪些器件属于场效应晶体管？()

A.JFET

B.MOSFET

C.BJT

D.IGBT

E.SCR

三、填空题(共5题)

15.MOSFET的栅极、漏极和源极分别对应英文缩写G、D和S。

16.在PN结正向偏置时，正向电流主要由______形成。

17.半导体器件中，用于增加半导体导电性的杂质称为______。

18.光刻技术在半导体制造中用于将______转移到硅片上。

19.半导体物理中，电子和空穴的复合会导致______。

四、判断题(共5题)

20.PN结在反向偏置时，其反向电流随电压增加而增加。()

A.正确B.错误

21.MOSFET的漏极电流与栅极电压无关。()

A.正确B.错误

22.在半导体制造中，光刻技术的分辨率越高，制造的集成电路越复杂。()

A.正确B.错误

23.双极型晶体管（BJT）的放大作用是通过基极电流控制集电极电流实现的。()

A.正确B.错误

24.在半导体物理中，电子和空穴的浓度乘积是一个常数。()

A.正确B.错误

五、简单题(共5题)

25.请简要说明PN结的基本工作原理。

26.简述MOSFET的驱动电流是如何产生的。

27.为什么说CMOS技术是集成电路制造的主流技术？

28.在半导体物理中，什么是热噪声？它对电路性能有何影响？

29.简述离子注入在半导体制造中的作用。

wb半导体技术员考试试题

一、单选题(共10题)

1.【答案】D

【解析】MOSFET是由N型和P型半导体组成的场效应晶体管。

2.【答案】D

【解析】在半导体中，电子和空穴的浓度乘积等于电子电荷量q乘以温度T的指数函数ekT。

3.【答案】B

【解析】PN结在正向偏置时，PN结正向导通，电流增大。

4.