CN114530466A 探测基板、其制作方法及射线探测器 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114530466A(43)申请公布日2022.05.24

(21)申请号202011322997.4

(22)申请日2020.11.23

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人北京京东方传感技术有限公司

(72)发明人尚建兴侯学成王振宇刘自然

勇闯

(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理

有限公司11291专利代理师刘源

(51)Int.CI.

HO1L27/146(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图12页

(54)发明名称

探测基板、其制作方法及射线探测器

(57)摘要

CN114530466A本公开提供了一种探测基板、其制作方法及射线探测器，包括：衬底基板；相互独立的多个第一电极，在衬底基板上同层设置；光电转换层，在多个第一电极背离衬底基板的一侧整面设置；射线吸收层，位于光电转换层背离多个第一电极的一侧，射线吸收层在衬底基板上的正投影，与各

CN114530466A

CN114530466A权利要求书1/1页

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1.一种探测基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

相互独立的多个第一电极，在所述衬底基板上同层设置；

光电转换层，在所述多个第一电极背离所述衬底基板的一侧整面设置；

射线吸收层，位于所述光电转换层背离所述多个第一电极的一侧，所述射线吸收层在所述衬底基板上的正投影，与各所述第一电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影相互交叠；

第二电极，在所述光电转换层背离所述多个第一电极的一侧整面设置。

2.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述射线吸收层在所述衬底基板上的正投影，与各所述第一电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影完全重合。

3.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述射线吸收层的材料为重金属、重金属合金、重金属化合物中的至少之一。

4.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述射线吸收层位于所述光电转换层与所述第二电极之间，或者，所述射线吸收层位于所述第二电极背离所述光电转换层的一侧。

5.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述射线吸收层与所述第二电极直接接触。

6.如权利要求5所述的探测基板，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板与所述多个第一电极所在层之间的扫描信号线和读取信号线；

所述射线吸收层在所述衬底基板上的正投影，完全覆盖所述扫描信号线和所述读取信号线在所述衬底基板上的正投影。

7.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述光电转换层为直接转换材料层或间接转换材料层。

8.如权利要求1-6任一项所述的探测基板，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板面向所述多个第一电极一侧的多个探测电路，每个所述探测电路与一个所述第一电极对应电连接。

9.一种如权利要求1-8任一项所述探测基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成相独立的多个第一电极；

在所述多个第一电极所在层上形成整面设置的光电转换层；

在所述光电转换层背离所述多个第一电极的一侧形成或贴附射线吸收层，并在所述光电转换层上形成整面设置的第二电极；其中，所述射线吸收层在所述衬底基板上的正投影与各所述第一电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影相互交叠。

10.一种射线探测器，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的探测基板。

CN114530466A说明书1/6页

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探测基板、其制作方法及射线探测器

技术领域

[0001]本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种探测基板、其制作方法及射线探测器。

背景技术

[0002]X射线检测技术广泛应用于工业无损检测、集装箱扫描、电路板检查、医疗、安防、工业等领域，具有广阔的应用前景。传统的X-Ray成像技术属于模拟信号成像，分辨率不高，图像质量较差。20世纪90年代末出现的X射线数字化成像技术(DigitalRadioGraphy,DR)采用X射线平板探测器直接将X影像转换为数字图像，以其操作便捷、成像速度快、成像分辨率高、转换的数字图像清晰、数字图像易于保存和传送等显著优点，成为数字X线摄影技术的主导方向，