掺杂ZnO稀磁材料薄膜:制备工艺与室温磁性的深度探究
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今科技飞速发展的时代,半导体材料作为现代电子学的基石,其性能的提升和新特性的探索一直是材料科学领域的研究热点。稀磁半导体(DilutedMagneticSemiconductors,DMS)作为一种新型的半导体材料,将半导体的电学性质与磁性材料的磁学性质相结合,为实现电子学和磁学的交叉应用提供了可能,因此受到了广泛的关注。
稀磁半导体的研究可以追溯到上世纪60年代,当时研究的磁性半导体材料多为天然矿石,如硫族铕化物。然而,这类材料存在晶体生长困难、居里温度远低于室温以及导电性能接近绝缘体等问题
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