CN114481028A 一种异质结电池的tco薄膜及其制作方法 （浙江爱旭太阳能科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114481028A(43)申请公布日2022.05.13

(21)申请号202210055453.9

(22)申请日2022.01.18

(71)申请人浙江爱旭太阳能科技有限公司

地址322000浙江省金华市义乌市苏溪镇

好派路655号

申请人珠海富山爱旭太阳能科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司

广东爱旭科技有限公司

(72)发明人张生利陈刚

(74)专利代理机构深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)44333

专利代理师贾振勇

(51)Int.CI.

H01LH01L

31/02(2006.01)31/0216(2014.01)

C23C14/08(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图1页

(54)发明名称

CN114481028A(57)摘要本申请适用于太阳能电池领域，提供了一种

CN114481028A

(57)摘要

本申请适用于太阳能电池领域，提供了一种异质结电池的TCO薄膜及其制作方法。异质结电池的TCO薄膜的制作方法，溅射系统中的靶材为(In1-xGa)2-Zr,0?靶材，x的范围为[0.00,0.28],y的范围为[0.01,0.18]。如此，通过调节靶材中Ga的含量来提高TCO薄膜的禁带宽度，使得TCO薄膜的紫外波段的光透过率提高。同时，通过调节靶材中Zr的含量来提高TCO薄膜的载流子迁移率，使得近红外波段的光透过率提高并保持TCO薄膜的良好导电特性。这样，可以降低光学寄生吸收，从而提高异质结电池的光利用率。

在溅射系统中安装(In?-xGax)2-yZr,O?靶材

在溅射系统的腔室内进行抽真空处理并对待溅射生长薄膜的衬底加热

向腔室内通入工艺气体

对溅射系统启辉，在待溅射生长薄膜的衬底溅射TCO薄膜

S11

S12

S13

S14

CN114481028A权利要求书1/1页

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1.一种异质结电池的TCO薄膜的制作方法，其特征在于，溅射系统中的靶材为(In?xGa)2-,ZryO?靶材，x的范围为[0.00,0.28],y的范围为[0.01,0.18]。

2.根据权利要求1所述的异质结电池的TCO薄膜的制作方法，其特征在于，x为0.14,y为0.1。

3.根据权利要求1所述的异质结电池的TCO薄膜的制作方法，其特征在于，待溅射生长薄膜的衬底的温度为25℃-240℃。

4.根据权利要求3所述的异质结电池的TCO薄膜的制作方法，其特征在于，所述待溅射生长薄膜的衬底的温度为120℃-160℃。

5.根据权利要求1所述的异质结电池的TCO薄膜的制作方法，其特征在于，工艺气体为含2%-8%体积分数的氢气的氩气；

或，工艺气体为含体积分数小于或等于5%的氧气的氩气。

6.根据权利要求1所述的异质结电池的TCO薄膜的制作方法，其特征在于，抽真空后腔室内的本底真空度为0.8×10??4Pa-1.2×10??Pa;和/或，通入工艺气体后，腔室内的气压的范围为3Pa-10Pa;和/或，利用射频电源启辉后，腔室内的工作气压为0.5Pa-5Pa。

7.根据权利要求1所述的异质结电池的TCO薄膜的制作方法，其特征在于，利用射频电源启辉后，溅射功率密度为3.6W/cm2-12W/cm2。

8.根据权利要求1所述的异质结电池的TCO薄膜的制作方法，其特征在于，待溅射生长薄膜的衬底到所述靶材的距离为4cm-12cm。

9.一种异质结电池的TCO薄膜，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的异质结电池的TCO薄膜的制作方法制成。

10.一种异质结电池的TCO薄膜，其特征在于，电子迁移率大于80cm2/V·s,载流子浓度小于5×102?cm?3,禁带宽度为3.75eV-4.25eV,100nm厚的所述TCO薄膜的方阻小于50ohm/Sq。

CN114481028A说明书1/6页

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一种异质结电池的TCO薄膜及其制作方法

技术领域

[0001]本申请属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种异质结电池的TCO薄膜及其制作方法。

背景技术

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