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氮化镓基光子晶格：结构、特性与发光器件应用的深度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，氮化镓（GaN）凭借其独特的物理性质，如宽禁带、高电子迁移率、高击穿电场和良好的热导率，成为了研究和应用的焦点材料之一。氮化镓基光子晶格及其发光器件的研究，不仅为半导体光电子学注入了新的活力，也在现代科技发展中扮演着举足轻重的角色。

从基础科学的角度来看，光子晶格是一种具有周期性介电结构的人工材料，它能够对光子的传播进行精确调控，类似于半导体晶格对电子的影响。氮化镓基光子晶格结合了氮化镓材料的优异光电性能和光子晶格的独特光学特性，为研究光子与物质的相互作用提供了一个理想的平台。通过设计和制