CN114200695A 一种高偏振消光比铌酸锂波导器件及其制作方法 （武汉光迅科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114200695A

(43)申请公布日2022.03.18

(21)申请号202111553694.8

(22)申请日2021.12.17

(71)申请人武汉光迅科技股份有限公司

地址430074湖北省武汉市洪山区邮科院

路88号

(72)发明人李彬牛玉秀潘小星丁丽陈小梅

(74)专利代理机构深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)44341

代理人何婷

(51)Int.CI.

GO2F1/03(2006.01)

GO2F1/035(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图5页

(54)发明名称

一种高偏振消光比铌酸锂波导器件及其制

作方法

(57)摘要

CN114200695A本发明涉及光纤传感和波导制备技术领域，提供了一种高偏振消光比铌酸锂波导器件及其制作方法。采用质子交换制备的铌酸锂波导由于提高TE传导模(或TM传导模)折射率、降低TM漏模(或TE漏模)折射率，因此天然具备单偏振传输特性，但是由于漏模在下表面或侧面反射，重新耦合进入波导区或输出光纤3,限制了其消光比在50dB左右。利用石墨的高吸收特性以及石墨与铌酸锂晶体相近的折射率，本发明采用石墨导电胶5涂覆于芯片下表面和侧面，大幅度降低漏模反射率，降低TM漏模(或TE漏模)耦合进入输出光纤

CN114200695A

点。

CN114200695A权利要求书1/2页

2

1.一种高偏振消光比铌酸锂波导器件，其特征在于，包括所述铌酸锂光波导器件包括铌酸锂波导芯片(1)、输入光纤(2)、输出光纤(3)和管壳(4),具体的：

所述铌酸锂波导芯片(1)采用质子交换工艺制作；所述铌酸锂波导芯片(1)下表面及侧面采用石墨导电胶(5)涂覆。

2.根据权利要求1所述的高偏振消光比铌酸锂波导器件，其特征在于，石墨导电胶(5)主要由石墨颗粒与无机硅铝酸盐构成，石墨折射率为2.45左右，无机硅铝酸盐折射率小于2;通过调配使石墨导电胶(5)固化后折射率在2.22到2.45之间。

3.根据权利要求2所述的高偏振消光比铌酸锂波导器件，其特征在于，铌酸锂波导芯片(1)中的铌酸锂晶体的光折射率在2.22,调配出折射率为2.4的石墨导电胶(5),光在两者界面的反射率低于0.15%,跟铌酸锂晶体与空气的反射率14.4%相比降低接近20dB。

4.根据权利要求1-3任一所述的高偏振消光比铌酸锂波导器件，其特征在于，所述石墨导电胶(5)的厚度为3-30um。

5.根据权利要求1-3任一所述的高偏振消光比铌酸锂波导器件，其特征在于，将所述铌酸锂波导芯片(1)和所述输入光纤(2)与输出光纤(3)端面研磨成预设角度；所述铌酸锂波导芯片(1)端面的预设角度为8°到12°,和/或所述输入光纤(2)与输出光纤(3)端面预设角度为12°到18°。

6.一种高偏振消光比的铌酸锂波导器件制作方法，其特征在于，方法包括：

在所述铌酸锂波导芯片(1)下表面与侧面涂覆石墨导电胶(5)并固化；

所述铌酸锂波导芯片(1)与输入光纤(2)与输出光纤(3)通过紫外胶粘接固化；

所述铌酸锂波导芯片(1)与所述管壳(4)通过低温固化胶粘接。

7.根据权利要求6所述的高偏振消光比铌酸锂波导器件制作方法，其特征在于，所述在所述铌酸锂波导芯片(1)下表面与侧面涂覆石墨导电胶(5)并固化，具体包括：

石墨导电胶(5)主要由石墨颗粒与无机硅铝酸盐构成，石墨折射率为2.45左右，无机硅铝酸盐折射率小于2;通过调配使石墨导电胶(5)固化后折射率在2.22到2.45之间，所述石墨导电胶(5)的厚度为3-30um。

8.根据权利要求6所述的高偏振消光比铌酸锂波导器件制作方法，其特征在于，铌酸锂波导芯片(1)中的铌酸锂晶体的光折射率在2.22,调配出折射率为2.4的石墨导电胶(5),光在两者界面的反射率低于0.15%,跟铌酸锂晶体与空气的反射率14.4%相比降低接近20dB。

9.根据权利要求6-8任一所述的高偏振消光比铌酸锂波导器件制作方法，其特征在于，所述铌酸锂波导芯片(1)与输入光纤(2)与输出光纤(3)通过紫外胶粘接固化，具体包括：

将输入光纤(2)与铌酸锂波导芯片(1)的输入端口耦合，并给所述输入光纤(2)导入检测光信号，采用探测器设置在铌酸锂波导芯片(1)的输出端侧，辅助检测输入光纤(2)与铌酸锂波导芯片(1)的输入端的光功率耦合到