数字集成电路——从经典物理到智能设计 课件 -2. 功耗和能耗.pptx

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;功耗能量

;动态功耗:电容充放电

短路电流:开关过程中电源-地线路径

漏电流:二极管和晶体管结构

;从电源取得的能量(假设输入波形上升/下降时间为零);无论充、放电

能耗均与晶体管尺寸无关!;计算:

时钟频率500MHz

每个门的负载15fF/gate

当fout=4

VDD=2.5V时动态功耗

1000000门每个上升沿发生反转总能耗50W!!;CMOS门在N个时钟周期内的能耗EN;降低VDD可以降低功耗

但当VDD接近2VT性能会快速下降!

当电源电压的下限取决于外部限制或者当减小电源电压引起的性能降低不能被接受时

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