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济南大学《太阳能电池材料与工艺》期末真题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项字母填入括号内）

1.太阳能电池将光能转化为电能的核心物理过程是（）。

A.非平衡电势差的形成

B.载流子的漂移运动

C.光生伏特效应

D.半导体的导电性

2.在硅太阳能电池中，P型掺杂通常使用的是（）。

A.硼（B）

B.铝（Al）

C.磷（P）

D.铜（Cu）

3.下列哪种材料属于直接带隙半导体？（）

A.硅（Si）

B.锗（Ge）

C.非晶硅（a-Si）

D.钙钛矿（Perovskite）

4.太阳能电池的短路电流（Jsc）主要取决于（）。

A.开路电压

B.填充因子

C.入射光强和材料的光吸收系数

D.串联电阻

5.下列哪种工艺主要用于在硅片表面形成铝背场（Al-BSF）？（）

A.蒸发沉积

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.离子注入后退火

D.光刻胶刻蚀

6.CIGS太阳能电池薄膜的主要制备方法包括（）。

A.电化学沉积

B.喷墨打印

C.升华沉积

D.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

7.钙钛矿太阳能电池中，铅（Pb）的存在的主要问题是（）。

A.带隙过大

B.稳定性差

C.沉积速率慢

D.成本过高

8.太阳能电池的填充因子（FF）定义为（）。

A.Jsc/Voc

B.(Voc*Jsc)/(q*A*Ph)（其中Ph为入射光功率，q为元电荷，A为电池面积）

C.η/Jsc

D.η/Voc

9.提高太阳能电池转换效率的主要途径不包括（）。

A.增加光吸收厚度

B.减小串联电阻

C.提高填充因子

D.增大电池面积

10.与传统硅基太阳能电池相比，钙钛矿太阳能电池的主要优势之一是（）。

A.制备温度较低

B.材料来源更丰富

C.长期稳定性更好

D.工艺成熟度高

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填入横线处）

1.太阳能电池的基本结构通常包括发射结、______、背场和基区。

2.光子能量必须大于半导体的______才能将其价带中的电子激发至导带。

3.非晶硅薄膜的常见缺陷是______，这会影响其长波长的光吸收。

4.在太阳能电池工艺中，用于去除表面污染和形成良好欧姆接触的步骤称为______。

5.衡量太阳能电池性能的另一个重要参数是______，它表示电池的最大输出功率与入射光功率之比。

6.CIGS材料的化学式为______，其中X代表硒（Se）或碲（Te）。

7.钙钛矿太阳能电池的能带隙约为______eV，接近单结太阳能电池的最优带隙。

8.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种常用的薄膜沉积技术，它通常在______气压下进行。

9.太阳能电池的量子效率（QE）分为______和______两种。

10.为了抑制钙钛矿薄膜的表面复合，常采用______处理或掺杂有机物的方法。

三、名词解释（每题3分，共15分。请给出简洁、准确的定义）

1.光生伏特效应

2.串联电阻

3.非晶硅

4.PECVD

5.叠层太阳能电池

四、简答题（每题5分，共20分。请简要回答下列问题）

1.简述N型半导体中，掺杂浓度对载流子浓度和导电性的影响。

2.简述太阳能电池丝网印刷工艺的主要步骤及其目的。

3.简述钙钛矿太阳能电池相比传统硅基电池具有哪些潜在的优势。

4.简述什么是太阳能电池的量子效率（QE），并说明其重要性。

五、论述题（每题10分，共20分。请结合所学知识，深入分析和阐述下列问题）

1.试述影响硅基太阳能电池开路电压（Voc）的主要因素，并解释其物理机制。

2.比较并分析几种主要的薄膜太阳能电池技术（如a-Si,CIGS,CdTe,钙钛矿）在材料、工艺和性能方面的主要特点及优缺点。

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试卷答案

一、选择题

1.C

2.A

3.D

4.C

5.C

6.C

7.B

8.B

9.D

10.A

二、填空题

1.覆盖层

2.禁带宽度（或带隙）

3.按键（Kink）

4.清洗（或表面钝化）

5.效率（或转换效率）

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