1.2.4PN结的电容特性势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。势垒电容CT(几PF—几十PF)扩散电容CD(几十PF—几千PF)阻挡层外(P区和N区)贮存的非平衡电荷量,随外加电压变化产生的电容效应。CT(0)CTV0xn少子浓度x0-xpP+NPN结电容PN结反偏时,CTCD,则Cj≈CTPN结总电容:Cj=CT+CDPN结正偏时,CDCT,则Cj≈CD故:PN结正偏时,以CD为主。故:PN结反偏时,以CT为主。通常:CD≈几十PF~几千PF。通常:CT
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