CN111103561A 一种补偿磁化率的永磁体匀场线圈的设计及制作方法 （厦门大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111103561A

(43)申请公布日2020.05.05

(21)申请号201911258269.9

(22)申请日2019.12.10

(71)申请人厦门大学

地址361000福建省厦门市思明南路422号

(72)发明人孙惠军李情姚凯文刘敏郑振耀燕伟跃

(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司35204

代理人张松亭张迪

(51)Int.CI.

G01R33/383(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图7页

(54)发明名称

一种补偿磁化率的永磁体匀场线圈的设计及制作方法

(57)摘要

CN111103561A本发明提供了一种补偿磁化率的永磁体匀场线圈的设计及制作方法；其设计方法如下：步骤1:匀场区域建立磁化率模型；步骤2:计算匀场区域内磁化率引起的不均匀磁场；步骤3:选定所述匀场线圈载面位置，设置初始条件；步骤4:建立多目标优化函数，设置每一目标项权重系数；步骤5:设定权重系数初始值和目标项收敛条件，利用吉洪诺夫正则化和最小二乘方法进行优化求解；步骤6:若各目标项达到收敛条件，则输出设计结果，否则调整权重参数，返回步骤5。其制作方法为：1.根据所述多簇环形导线组的大小、圈数及位置特征，对导线组进行归类；2.对各环

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CN111103561A权利要求书1/2页

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1.一种补偿磁化率的永磁体匀场线圈的设计方法；其特征在于所述匀场线圈为绕线形状不同的双平面结构，由多簇不规则的环形导线组构成；

其设计方法如下：

步骤1:在两倍匀场区域的球形范围内根据射频样品、线圈、支架材料的结构和磁化率建立磁化率模型；

步骤2:根据磁化率模型和永磁体主磁场的强度和方向特征计算匀场区域内磁化率引起的不均匀磁场；

步骤3:根据永磁体极板间隙、探头及支架结构特性选定所述匀场线圈载面位置，设置线圈范围、模型初始条件及参数；

步骤4:以不均匀磁场、线圈电流值和匀场功率为目标项建立多目标优化函数，设置每一目标项权重系数；

步骤5:设定权重系数初始值、目标项收敛条件和评价参数，利用吉洪诺夫正则化(Tikhonovregularization)和最小二乘方法进行优化求解；

步骤6:若各目标项达到收敛条件，则输出设计结果，否则调整权重参数，返回步骤5。

2.根据权利要求1所述的一种补偿磁化率的永磁体匀场线圈的设计方法，其特征在于，所述步骤4的具体方法为：

步骤4-1:将线圈载面剖分并离散为N个网格单元，所述网络单元相较线圈载面尺寸极小，假设每个单元上分别通有大小为Ii(1≤i≤N)的环电流，则计算出所有通电的网格单元在样品区激发的磁场Bz;

步骤4-2:建立优化的目标函数U:

min:U=||Bz-Bzoff||+αP+β|j||

上述式子中，min:U为目标函数U的最小值，Bzoff表示匀场区域内磁化率引起的不均匀磁场，P表示所述线圈载面总体功率损耗，||j||∞表示所述线圈载面上电流密度的最大值，α和β分别是P和||j|∞的调节权重参数。

3.根据权利要求2所述的一种补偿磁化率的永磁体匀场线圈的设计方法，其特征在于，所述步骤5的具体方法为：

步骤5-1:为α、β以及Ii(I1,I2,…,IN)赋上初始值：用吉洪诺夫正则化方法求得方程Bz-Bzoff=0的解(I10,I20,…,INO),并将其作为Ii(I1,I2,…,IN)的初始值；用(I10,

I20,…,INO)反求P和||j|∞,以此时P和|j||∞的比例为依据，设置α、β的初值；

步骤5-2:用最小二乘方法寻找使所述目标函数U取最小值的电流值Ii(I1,I2,…,IN);

步骤5-3:用线圈载面总体功率损耗P、所述线圈载面上电流密度的最大值||j||以及磁场补偿程度δ作为评价参数，并设置收敛范围，

其中，

用步骤5-2中求得的电流值Ii(I1,I2,…,IN)反求P、||j||∞和δ。

4.根据权利要求3所述的一种补偿磁化率的永磁体匀场线圈的设计方法，其特征在于，所述步骤6的具体方法中结果输出为：将求出的Ii(I1,I2,…,IN)视为流线簇上的流