CN109300922A 一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法 （上海大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109300922A

(43)申请公布日2019.02.01

(21)申请号201811197488.6

(22)申请日2018.10.15

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人金钻明林贤马国宏张顺浓李炬赓

(74)专利代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司11401

代理人杨采良

(51)Int.CI.

H01L27/144(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法

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CN109300922A本发明属于光电功能器件技术领域，公开了一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法，利用物理或化学镀膜方法，在衬底基片上相继镀有多层磁性金属薄膜和非磁性金属薄膜，组成复合膜结构；通过复合膜结构的设计，利用逆自旋霍尔效应产生强太赫兹辐射；同时在复合膜结构中设计铁磁钉扎层，以之取代外置磁场，从而减小太赫兹辐射器件的体积。本发明可实现太赫兹发射芯片的制