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ZnSe基异质结纳米线：制备工艺、结构特征与性能探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技的迅猛发展中，半导体材料始终占据着核心地位，广泛应用于电子、通信、能源等诸多关键领域。随着纳米技术的兴起，纳米级半导体材料因其独特的量子尺寸效应、表面效应和小尺寸效应，展现出与传统体材料截然不同的物理化学性质，为新型光电器件的研发开辟了广阔前景。其中，ZnSe基异质结纳米线作为一类极具潜力的纳米半导体材料，受到了科研人员的高度关注。

ZnSe是一种典型的II-VI族直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度约为2.7eV，具有良好的光学和电学性能。其独特的晶体结构和能带特性，使其在短波长光