CN109332901A 陶瓷劈刀及其制作方法和应用 （深圳市商德先进陶瓷股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109332901A

(43)申请公布日2019.02.15

(21)申请号201811074816.3

(22)申请日2018.09.14

(71)申请人深圳市商德先进陶瓷股份有限公司地址518101广东省深圳市宝安区沙井街

道新二社区南岭路21号B栋一楼、二楼

(72)发明人谭毅成朱佐祥向其军

(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224

代理人潘霞

(51)Int.CI.

B23K26/356(2014.01)

权利要求书1页说明书8页附图1页

(54)发明名称

陶瓷劈刀及其制作方法和应用

(57)摘要

CN109332901A本发明涉及一种陶瓷劈刀及其制作方法和应用。该陶瓷劈刀的制作方法包括如下步骤：提供初始表面粗糙度在10纳米以下的陶瓷劈刀半成品；对陶瓷劈刀半成品的表面进行激光轰击处理，以在陶瓷劈刀半成品上形成若干凹槽，相邻凹槽的间距为5微米～20微米，得到陶瓷劈刀，其中，激光轰击处理的激光波长为200纳米～600纳米，轰击时间为10分钟～240分钟。上述制作方法

CN109332901A

提供初始表面粗糙度在10纳米以下的陶瓷劈刀半成品。

对陶瓷劈刀半成品的表面进行激光轰击处理，以在陶瓷劈刀半成品上形

成若干凹槽，相邻凹槽的间距为5微米~20微米，得到陶瓷劈刀。

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CN109332901A权利要求书1/1页

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1.一种陶瓷劈刀的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供初始表面粗糙度在10纳米以下的陶瓷劈刀半成品；及

对所述陶瓷劈刀半成品的表面进行激光轰击处理，以在所述陶瓷劈刀半成品上形成若干凹槽，相邻所述凹槽的间距为5微米～20微米，得到陶瓷劈刀，其中，所述激光轰击处理的激光波长为200纳米～600纳米，轰击时间为10分钟～240分钟。

2.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的制作方法，其特征在于，所述激光波长为500纳米~600纳米，所述轰击时间为10分钟～30分钟，相邻所述凹槽的间距为15微米～20微米。

3.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的制作方法，其特征在于，所述激光轰击处理的激光波长为350纳米～450纳米，所述轰击时间为60分钟～90分钟，相邻所述凹槽的间距为10微米～15微米。

4.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的制作方法，其特征在于，所述激光轰击处理的激光波长为200纳米～300纳米，所述轰击时间为120分钟～240分钟，相邻所述凹槽的间距为5微米～10微米。

5.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的制作方法，其特征在于，所述陶瓷劈刀半成品的材质为氧化铝、红宝石单晶、氧化锆增韧氧化铝或碳化钨。

6.一种陶瓷劈刀，用于金属引线焊接，其特征在于，由权利要求1～5任一项所述的陶瓷劈刀的制作方法制作得到。

7.根据权利要求6所述的陶瓷劈刀，其特征在于，所述陶瓷劈刀用于金引线焊接，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为20纳米～35纳米。

8.根据权利要求6所述的陶瓷劈刀，其特征在于，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为40纳米~90纳米。

9.根据权利要求6所述的陶瓷劈刀，其特征在于，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为120纳米～190纳米。

10.权利要求6～9任一项所述的陶瓷劈刀在半导体封装领域中的应用。

CN109332901A说明书1/8页

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陶瓷劈刀及其制作方法和应用

技术领域

[0001]本发明涉及陶瓷材料的加工领域，特别是涉及一种陶瓷劈刀及其制作方法和应用。

背景技术

[0002]陶瓷劈刀是一种具有垂直方向孔的轴对称陶瓷工具，因其具有高硬度、高耐磨、耐高温、耐化学腐蚀、表面光洁度高及尺寸精度高等优势，在半导体引线键合焊接领域中扮演着不可替代的角色。引线键合是将芯片电极面朝上粘贴在封装基座上，用金属丝将芯片电极与引线框架上对应的电极通过焊接的方法连接的过程。引线键合的目的是将芯片与外部封装框架电气连通，以确保电信号传递的通畅。金属导线的选择会影响到焊接质量、器件的可靠性等方面，理想的材料应满足如下条件：(1)可与半导体材料形成良好的接触；(2)化学性能稳定；(3)与半导体材料形成良好的结合力；(4)导电性能良好；(5)易