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CMOS工艺下ESD保护电路模型的深度剖析与创新研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着半导体技术的飞速发展，CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺因其具有低功耗、高集成度、高速运行等显著优势，已成为集成电路制造的主流技术。从最初的PMOS和NMOS工艺基础上发展起来，CMOS工艺不断演进，如今已广泛应用于微处理器、微控制器、存储芯片、图像传感器以及射频电路等众多领域，涵盖了从消费电子到航空航天、医疗设备等几乎所有电子应用场景。在过去几十年间，CMOS工艺的特征尺寸按照摩尔定律不断缩小，从早期的微米级逐步迈入纳米级，例如从最初的10μm工艺节点，发展到如今的7nm甚至