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Ⅲ族氮化物半导体材料：结构剖析与磁学改性探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，半导体材料始终处于核心地位，其性能的优劣直接影响着各类电子器件的功能与效率。自20世纪中叶以来，半导体材料经历了从第一代以硅（Si）、锗（Ge）为代表，到第二代以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表，再到如今第三代以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体为代表的重要变革。每一代半导体材料的更迭，都为电子技术带来了质的飞跃，推动着通信、能源、计算机等众多领域不断向前发展。

Ⅲ族氮化物半导体作为第三代半导体材料的重要分支，包含氮化硼（BN）、氮化铝（AlN）、氮化镓（G