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模拟电子技术基础总结

第一章晶体二极管及应用电路

一、半导体知识

1.本征半导体

·单质半导体材料就是具有4价共价键晶体结构的硅(Si)与锗

(Ge)(图1-2)。前者就是制造半导体IC的材料(三五价化合物砷化镓

GaAs就是微波毫米波半导体器件与IC的重要材料)。

·纯净(纯度7N)且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。

在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象就是本征激发(又称

热激发或产生)(图1-3)。本征激发产生两种带电性质相反的载流子—

—自由电子与空穴对。温度越高,本征激发越强。

+载流子。空穴导电的本质就是价电子依次填补本·空穴就是半导

体中的一种等效q

+电荷的空位宏观定向运动(图1-4)。

征晶格中的空位,使局部显示q

·在一定的温度下,自由电子与空穴在热运动中相遇,使一对自由电子

与空穴消失的现象称为载流子复合。复合就是产生的相反过程,当产生

等于复合时,称载流子处于平衡状态。

2.杂质半导体

·在本征硅(或锗)中渗入微量5价(或3价)元素后形成N型(或P型)

杂质半导体(N型:图1-5,P型:图1-6)。

·在很低的温度下,N型(P型)半导体中的杂质会全部电离,产生自由

电子与杂质正离子对(空穴与杂质负离子对)。

·由于杂质电离,使N型半导体中的多子就是自由电子,少子就是空

穴,而P型半导体中的多子就是空穴,少子就是自由电子。

·在常温下,多子少子(图1-7)。多子浓度几乎等于杂质浓度,与温

度无关;两少子浓度就是温度的敏感函数。

·在相同掺杂与常温下,Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。

3.半导体中的两种电流

在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流(这与金属导电

一致);还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。

4.PN结

·在具有完整晶格的P型与N型材料的物理界面附近,会形成一个特

殊的薄层——PN结(图1-8)。

·PN结就是非中性区(称空间电荷区),存在由N区指向P区的内建

电场与内建电压;PN结内载流子数远少于结外的中性区(称耗尽层);PN

结内的电场就是阻止结外两区的多子越结扩散的(称势垒层或阻挡层)。

·正偏PN结(P区外接高于N区的电压)有随正偏电压指数增大的

电流;反偏PN结(P区外接低于N区的电压),在使PN结击穿前,只有其

值很小的反向饱与电流SI。即PN结有单向导电特性(正偏导通,反偏

截止)。

·PN结的伏安方程为:/(1)T

vVSiIe

=-,其中,在T=300K时,热电压26TV;mV。

·非对称PN结有PN+结(P区高掺杂)与PN+

结(N区高掺杂),PN结主要向低掺杂区

域延伸(图1-9)。

二、二极管知识

·普通二极管内芯片就就是一个PN结,P区引出正电极,N区引出负

电极(图1-13)。·在低频运用时,二极的具有单向导电特性,正偏时导

通,Si管与Ge管导通电压典型值分别就是0、7V与0、3V;反偏时截

止,但Ge管的反向饱与电流比Si管大得多(图1-15)。

·低频运用时,二极管就是一个非线性电阻,其交流电阻不等于其直流

电阻。

二极管交流电阻dr定义:1

DdDQ

dirdv-??=?

·稳压管电路设计时,要正确选取限流电阻,使稳压管在一定的负载条

件下正常工作。

二极管交流电阻dr估算:dTDrVI≈

·二极管的低频小信号模型就就是交流电阻dr,它反映了在工作点

Q处,二极管的微变电流与微变电压之间的关系。

·二极管的低频大信号模型就是一种开关模型,有理想开关、恒压源

模型与折线模型三种近似(图1-20)。

三、二极管应用

1.单向导电特性应用

·整流器:半波整流(图1-28),全波整流(图P1-8a),桥式整流(图P1-

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